四值忆阻模拟器设计及电路实现

为满足日益增长的信息存储密度与能效需求，提出一种四值忆阻器的数学模型，并开展系统仿真与实验验证。基于MATLAB对模型的伏安特性进行仿真，结果表明其具有四个稳定阻态，具备多值存储能力。据此设计并实现了相应的四值忆阻模拟器，通过硬件实验测试其在不同阻态下的电导变化，并与仿真结果对比。实验结果与模型分析高度一致，验证了该模型的准确性与可行性。

为满足不断提升的信息存储密度和能效需求,建立了一种四值忆阻器的数学模型,并对其进行了系统的仿真和实验验证.首先,运用MATLAB对模型的伏安特性曲线进行了仿真分析,结果显示该模型具备四个稳定的阻值状态,验证了其多值存储能力的理论基础.随后,设计并实现了一个基于该模型的四值忆阻模拟器.硬件实验验证了模拟器在不同阻值状态下的工作表现,并将实验测得的电导变化与仿真结果进行了详细对比.实验结果表明,模拟器的电导变化与基于模型的数学分析高度一致,验证了模型的准确性和实用性.