找到 2 条结果
一种基于多电容环路耦合降低PDN阻抗的方法
A Method to Reduce PDN Impedance Based on Multicapacitor Loop Coupling
Jiarui Wu · Xu Yang · Xingwei Huang · Qingzheng Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
随着电源分配网络（PDN）目标阻抗的降低，对输出去耦电容的需求显著增加。连接电容与主板的过孔寄生电感严重影响PDN阻抗设计。本文提出了一种新型布局方法，通过多电容环路耦合技术有效降低寄生电感，优化电源完整性。
解读: 该研究对于阳光电源的高功率密度产品（如PowerTitan储能系统及组串式逆变器）具有重要意义。随着逆变器和PCS功率密度的提升，控制板及功率驱动板的电源完整性设计成为关键。通过优化多电容布局降低寄生电感，可有效抑制高频噪声，提升控制系统的电磁兼容性（EMC）和可靠性。建议在下一代高频化、小型化功率...
基于直接散热层键合的GaN功率器件在供电网络上的三维芯片集成
3-D On-Chip Integration of GaN Power Devices on Power Delivery Network (PDN) With Direct Heat Spreading Layer Bonding for Heterogeneous 3-D (H3D) Stacked Systems
Jaeyong Jeong · Chan Jik Lee · Sung Joon Choi · Nahyun Rheem 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
异构三维（H3D）堆叠系统在高性能计算（HPC）以及人工智能/机器学习（AI/ML）应用方面具有诸多优势。然而，要实现H3D系统，需要重新设计电源分配网络（PDN），以在三维堆叠系统中实现高效的电源传输，并需要热管理解决方案。为了为H3D系统开发高效的PDN，建议采用三维集成片上功率器件。在这项工作中，我们展示了一种通过直接热扩散层键合技术集成在CMOS芯片PDN上的H3D集成氮化镓（GaN）功率器件。该GaN功率器件设计为同时集成增强型（E - 模式）和耗尽型（D - 模式），栅长（$L_{\...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN功率器件三维集成技术虽然目前主要面向高性能计算和AI/ML应用，但其核心创新对我们在光伏逆变器和储能系统领域具有重要的前瞻性价值。 该技术的关键突破在于两个方面：首先，GaN器件实现了22.3Ω·mm的导通电阻和137V的击穿电压，性能显著超越硅基器件，这与我们...