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排序:
储能系统技术 储能系统 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

有机光电子突触晶体管阵列的研究进展:系统集成的制备策略与创新应用

Recent progress in organic optoelectronic synaptic transistor arrays: fabrication strategies and innovative applications of system integration

Pu GuoJunyao ZhangJia Huang · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

人工智能的快速发展加剧了传统计算架构在能耗和数据延迟方面的瓶颈。数据为中心的存算一体架构有望解决上述问题。有机光电子突触晶体管因其柔性、低成本和大面积制备优势,成为实现该架构的候选器件之一。然而,单个器件难以完成矩阵向量乘法等复杂功能,因此亟需构建有机光电子突触晶体管阵列(OOSTAs)。本文综述了OOSTAs的最新进展,涵盖涂布、物理气相沉积、印刷及光刻等多种制备策略,并探讨其在神经形态视觉与计算系统中的集成应用,最后分析了其在实际应用中面临的挑战与未来发展方向。

解读: 该有机光电子突触晶体管阵列技术对阳光电源智能控制系统具有前瞻性启发价值。其存算一体架构可应用于iSolarCloud云平台的边缘计算节点,实现光伏电站和储能系统的低功耗实时数据处理与智能诊断。神经形态计算特性可优化ST系列储能变流器的预测性维护算法,通过模式识别提升故障预警准确率。柔性大面积制备优势...

光伏发电技术 SiC器件 ★ 4.0

Ag/TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂纳米多孔肖特基势垒二极管的表面与电学表征

Surface and electrical characterizations of Ag/TiO2 and Ag/Ag-doped TiO2 nanoporous Schottky barrier diodes

Fatih Unal · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

在本研究中,对Ag/TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂肖特基势垒二极管进行了结构和基本电学特性(电流-电压)表征。采用阳极氧化法(AO)制备TiO₂层,并结合物理气相沉积法(PVD)和阳极氧化法(AO)实现Ag(银)掺杂。随后,对一组样品在450 °C下进行热处理,以考察热处理的影响,并对不同样品进行对比分析。在所制备的活性层上沉积Ag(银)整流接触,最终获得Ag/TiO₂、Ag/TiO₂(退火)、Ag/Ag掺杂TiO₂和Ag/Ag掺杂TiO₂(退火)肖特基势垒二极管。深入研究了这些肖特基势垒二极...

解读: 该Ag掺杂TiO2肖特基二极管研究对阳光电源SiC/GaN功率器件开发具有重要参考价值。研究表明退火处理可优化整流比和理想因子(降至1.18),这为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的功率半导体器件性能提升提供思路。Ag掺杂技术可调控势垒高度(0.85-1.2eV),有助于优化三电平拓扑中二极...