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通过氩等离子体调控溶液法制备的无稀有金属非晶氧化物源极栅晶体管的费米能级
Fermi Energy Tuning of Solution-Processed Rare-Metal-Free Amorphous Oxide Source-Gated Transistors via Argon Plasma
Mark D. Ilasin · Juan Paolo S. Bermundo · Pongsakorn Sihapitak · Candell Grace P. Quino 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
随着对可持续、低功耗电子产品的需求持续增长，满足新兴技术需求的更简单制造技术和兼容材料变得愈发紧迫。由薄膜晶体管和肖特基二极管组成的源极栅控晶体管（SGT）因其高增益和低工作电压，已成为低功耗电子产品的理想选择。SGT能在低电压下实现稳定电流，这是节能设备的一项关键特性。本研究首次报道了一种以溶液法制备的非晶氧化锡（IV）作为沟道材料来实现SGT的新方法，该方法通过选择性地进行氩等离子体处理，借助引入氧空位和缺陷来调节其费米能级和功函数，从而无需使用特殊的肖特基源极金属。我们还探究了不同肖特基接...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于溶液法制备的源栅极晶体管（SGT）技术具有重要的战略意义。该技术通过氩等离子体处理调控氧化锡薄膜的费米能级，实现了无需稀有金属的低功耗晶体管制造，这与我们在光伏逆变器和储能系统中追求高效率、低成本的核心目标高度契合。 在光伏逆变器领域，该技术的低电压工作特性和高增...
用于在Vhold = 0 V下实现长数据保持的2T0C DRAM的氟处理顶栅InAlZnO薄膜晶体管
Fluorine-Treated Top-Gate InAlZnO TFT for 2T0C DRAM With Long Data Retention at Vhold = 0 V
Linlong Yang · Binbin Luo · Xi Chen · Wen Xiong 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
研究了采用等离子体增强原子层沉积制备的顶栅InAlZnO（IAZO）薄膜晶体管（TFT）用于2T0C DRAM单元。通过Ar等离子体处理源/漏区，导通电流提升约三个数量级。引入氟处理调控阈值电压和导通电流，优化后器件表现出0.64 V的正阈值电压、74 mV/dec的亚阈值摆幅、~6 mV的微小迟滞及优异均匀性，且导通电流提高逾50%。氟处理显著改善负偏压稳定性，60分钟应力下阈值电压漂移仅-0.005 V。基于该TFT的2T0C DRAM在零保持电压下实现>1 ks的保持时间，并具备超过10^...
解读: 该氟处理IAZO TFT的2T0C DRAM技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。其零保持电压下>1ks数据保持时间和超低静态功耗特性，可应用于PowerTitan储能系统和ST系列储能变流器的BMS电池管理芯片、状态监测存储单元。相比传统DRAM，该技术在待机模式下几乎零功耗，可显著降低储能系统...