秦浩然 · 张楠 · 李恩龙 · 谢安 等5人 · 电子元件与材料 · 2025年4月 · Vol.44

有机场效应晶体管（OFETs）因具备低成本、可溶液加工及大面积制备优势，在光电器件领域备受关注，但其性能受限于有机半导体载流子迁移率低及环境稳定性差。本文提出一种光照调控复合有机薄膜形貌的新策略。研究表明，光照可调节半导体与绝缘聚合物间的热动力作用，增强相分离程度、相纯度及晶区连通性，从而显著提升载流子传输。在150 mW/cm²光照下制备的OFETs表现出最优性能，迁移率达0.42 cm²/(V·s)，开关比达3×10⁶，阈值电压为2.2 V。该方法为高性能有机光电器件的制备提供了有效途径。

解读: 该光照调控有机薄膜技术对阳光电源的功率器件和光伏产品线具有重要参考价值。通过光照调控提升有机半导体性能的方法，可应用于SG系列逆变器的光电传感器优化，提高MPPT追踪精度。同时，该技术在有机场效应晶体管方面的突破，为开发新型GaN功率器件提供思路，有望应用于ST储能变流器和车载OBC等产品的功率模块...

Zeyu Zhong · Yang Wang · Zhanpeng Cui · Yuan Wang 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本征柔性的有机场效应晶体管（OFET）是可穿戴电子设备的理想组件。这类电子设备面临的一个重大挑战是人体静电放电（ESD），它会释放安培级的电流浪涌并产生显著的热耗散。由于有机半导体的分子堆积和电荷传输对温度变化（尤其是高温）较为敏感，因此OFET通常容易因静电放电而失效。在此，我们报道了一种热隔离型OFET（hiOFET），通过分散器件中的静电放电电流路径并隔离热耗散区域，提高了其静电放电耐受性。我们的策略使器件的失效水平达到了55.03 mA/mm，比传统晶体管结构的失效水平高出近1.7倍。此...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项热隔离有机场效应晶体管（hiOFET）技术虽然聚焦于柔性电子领域，但其核心的抗静电放电（ESD）防护理念对我司产品具有重要的借鉴价值。 在光伏逆变器和储能系统的实际应用场景中，ESD是导致功率半导体器件失效的主要威胁之一。该论文提出的"分散电流路径+隔离热耗散区域"双...

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

基于n型给体 - 受体（D - A）共轭共聚物的有机场效应晶体管（OFETs）处于有机电子学研究的前沿。然而，对其电荷传输的基本方面，特别是相关陷阱的理解仍然有限。在本研究中，我们发现基于N2200的n型OFETs的低频噪声（LFN）呈现1/f特性。漏极电流（$I_{\text {D}}$）的归一化功率谱密度，即（$S_{\text {Id}}$/$I_{\text {D}}^{2}$），与（$g_{\text {m}}$/$I_{\text {D}}$）²的变化情况相似，其中$g_{\text...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于n型有机场效应晶体管（OFETs）低频噪声特性的研究，为我们在新能源电力电子器件的可靠性评估和性能优化方面提供了重要的方法论参考。 该研究通过低频噪声（LFN）分析揭示了有机半导体器件中的陷阱态密度与性能退化机制，这与我们在光伏逆变器和储能变流器中面临的功率器件可...

Walid Boukhili · Swelm Wageh · Quanhua Chen · Fathi Jomni 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月

沟道尺寸缩小的研究推动了半导体技术的显著进步，而有机晶体管的尺寸缩减仍需深入理解，尤其是短沟道效应。本文研究了有机缓冲层的引入及沟道长度缩放对接触电阻、电荷传输及器件性能的影响。在源/漏电极与有机半导体间插入有机缓冲层可显著降低接触电阻，并有效改善漏致势垒降低（DIBL）和界面陷阱密度，该效应在短沟道器件中尤为明显，因电极接触在整体电荷传输中起主导作用。本研究为短沟道有机薄膜晶体管的器件物理及未来电子器件发展提供了重要见解。

解读: 该有机晶体管短沟道效应研究对阳光电源功率半导体器件应用具有重要借鉴意义。研究揭示的缓冲层降低接触电阻、改善DIBL效应的机制，可启发SiC/GaN功率器件的界面优化设计。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中，通过优化功率模块的电极-半导体界面结构，可降低导通电阻和开关损耗，提升器件在高频开关下的可...