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异质结构与界面工程实现超宽禁带AlGaN的低阻接触
Heterostructure and interfacial engineering for low-resistance contacts to ultra-wide bandgap AlGaN
Yinxuan Zhu · Sandia National Laboratories · Chandan Joishi · Jonathan Pratt 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
针对超宽禁带AlGaN半导体材料中欧姆接触电阻高的挑战，本研究提出了一种基于极化诱导电荷调控的异质结构与界面协同工程策略。通过设计AlGaN/GaN超晶格缓冲层并优化金属-半导体界面特性，有效增强了表面载流子浓度，降低了势垒高度。结合退火工艺调控界面化学态，实现了稳定且低比接触电阻（<5×10⁻⁵ Ω·cm²）的欧姆接触。该方法为高性能AlGaN基功率电子器件的发展提供了关键技术支撑。
解读: 该研究在AlGaN低阻接触方面的突破对阳光电源GaN功率器件的应用具有重要价值。通过异质结构与界面工程实现的低比接触电阻(<5×10⁻⁵ Ω·cm²)，可显著提升SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的开关性能和导通损耗。特别是在1500V高压系统中，优化的欧姆接触可提高器件可靠性，有助...
溶液法制备的ZnO/Al2O3垂直异质结构IGFET：用于柔性电子器件的高迁移率和光电功能
Solution-processed ZnO/Al2O3 vertical heterostructure IGFETs: high mobility and optoelectronic functionality for flexible electronics
Lephe S contributed to conceptualization · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
在柔性与透明电子领域，氧化锌绝缘栅场效应晶体管（ZnO IGFET）因其优异的材料特性而成为关键组件，其中包括3.37 eV的宽禁带，这有助于实现高电子迁移率、光学透明性以及与多种基底的良好兼容性。基于ZnO的IGFET在透明电子、柔性及可穿戴设备、平板显示器和高频应用等领域具有显著优势。此外，ZnO在热稳定性和化学稳定性方面表现优越，使其非常适合用于电力电子系统。本文采用并研究了一种成本效益高的器件制备技术——溶液法浸涂技术，该方法通过调节提拉速度、溶液浓度和粘度等关键参数，能够精确控制薄膜厚...
解读: 该溶液法ZnO/Al2O3异质结晶体管技术对阳光电源储能系统和光伏逆变器具有重要参考价值。其宽禁带(3.37eV)特性与公司SiC/GaN功率器件战略契合,9.25 cm²V⁻¹s⁻¹的高迁移率可提升ST系列PCS开关性能。溶液法低成本工艺为大面积柔性传感器集成提供思路,可应用于PowerTitan...