Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0

本文采用射频磁控溅射法在室温下将ZnO:Ga（GZO）薄膜沉积在玻璃基底上，研究了GZO薄膜性能随射频功率密度的变化关系。当射频功率密度从0.45增至2.4 W/cm²时，GZO薄膜的结晶性、电阻率和透光率分别从824 cps/deg.恶化至149 cps/deg.，从1.85 × 10⁻³ Ω·cm恶化至20.8 × 10⁻³ Ω·cm，以及从87.8%下降至85.7%。然而，镓含量、氧空位浓度和表面化学键合等化学键合特性并未表现出一致的变化趋势。该结果被认为是由恒定薄膜厚度条件下溅射粒子表面...

解读: 该GZO薄膜溅射工艺研究对阳光电源储能系统PCS功率器件封装及光伏逆变器散热优化具有参考价值。研究揭示恒定厚度下溅射功率密度对薄膜电阻率和透光率的影响规律,可应用于ST系列PCS中SiC/GaN器件的透明导电层优化,通过控制溅射参数降低接触电阻。同时,表面碰撞抑制机制对PowerTitan储能系统的...