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氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电储能电容器的影响
Impact of oxygen plasma pulse time on atomic-layer-deposited ZrO2 antiferroelectric energy storage capacitors
Conglin Zhang · Binbin Luo · Chenyan Wang · Ze Shang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
研究了氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电薄膜及其电容器性能的影响。通过调节氧等离子体脉冲时长,优化了ZrO2薄膜的结晶特性、相纯度及界面质量,显著提升了器件的反铁电性与能量存储密度。结果表明,适当的脉冲时间可有效抑制氧空位缺陷,增强薄膜均匀性,从而提高击穿场强和极化差值。该工作为高性能反铁电电容器的可控沉积提供了关键工艺依据。
解读: 该ZrO2反铁电薄膜电容技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。通过优化氧等离子体脉冲工艺提升的高能量密度、高击穿场强特性,可直接应用于ST系列储能变流器和PowerTitan系统的直流母线支撑电容、滤波电容模块,替代传统电解电容,实现更高功率密度和更长寿命。反铁电材料的快速充放电特性与低损耗优势,...
AlInAsSb雪崩光电二极管的钝化研究
A passivation study for AlInAsSb avalanche photodiodes
Qi Lin · Hannaneh Karimi · Ellie Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
雪崩光电二极管(APD)在商业、军事和科研领域具有重要应用。近年来,AlxIn1–xAsySb1–y数字合金体系因其可调带隙、高雪崩增益和低过剩噪声,成为下一代APD的候选材料。然而,台面结构器件中刻蚀后的Al0.7InAsSb侧壁易发生表面氧化与缺陷形成,显著增加暗电流、降低信噪比并影响可靠性。有效的表面钝化对抑制暗电流、提升器件性能至关重要。本研究系统比较了SU-8聚合物、原子层沉积(ALD)HfO2及不同温度下沉积的ALD-Al2O3等钝化技术对生长于InP衬底上的Al0.7InAsSb ...
解读: 该AlInAsSb雪崩光电二极管钝化技术对阳光电源光伏及储能系统的光电检测模块具有重要参考价值。APD的低暗电流、高信噪比特性可应用于:1)SG系列逆变器的组串电流监测与故障电弧检测,ALD-Al2O3钝化工艺可提升传感器在高温环境下的可靠性;2)PowerTitan储能系统的电池热失控早期光学预警...
采用SiNx/AlN介质叠层的全凹槽型常关GaN MIS-HEMT器件稳定性提升
Improved Stability of Fully Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With SiNx/AlN Dielectric Stack
Yu Li · Guohao Yu · Ang Li · Haochen Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究对采用低压化学气相沉积(LPCVD)-氮化硅(SiNx)/原子层沉积(ALD)-氮化铝(AlN)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)-二氧化硅(SiO₂)/ALD - AlN 介质叠层的氮化镓(GaN)金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)进行了对比研究。与 SiO₂/AlN MIS - HEMT 的阈值电压漂移($\Delta {V}_{\text {TH}}$)为 2.0 V 相比,SiNx/AlN MIS - HEMT 在 150 °C 下表现出最小...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于常关型GaN MIS-HEMT器件的研究具有重要的战略价值。该研究通过采用LPCVD-SiNx/ALD-AlN介质堆栈方案,显著提升了器件的阈值电压稳定性,这直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的核心竞争力。 在技术价值层面,该器件在150°C高温下仅产生-0.2...