Xiaoquan Zhu · Bo Zhang · Dongyuan Qiu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月

本文提出了一种具有高电压转换比的新型半桥阻抗源逆变器（HBISI）。与现有的HB-qZSIs/HB-qSBIs相比，该拓扑能显著提高电压升压因子，仅需极小的直通占空比即可实现高电压增益，有效降低了开关器件的电压应力。

解读: 该拓扑通过优化阻抗网络实现了高电压增益，对阳光电源的组串式逆变器（String Inverter）产品线具有重要参考价值。在光伏组件电压范围较宽或需要更高直流母线电压的应用场景中，该技术能有效降低开关器件的电压等级要求，从而降低BOM成本并提升系统效率。建议研发团队评估其在下一代高功率密度组串式逆变...