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基于栅极偏压调控MoSe2场效应晶体管中TCR的高灵敏度热传感器设计
Highly Sensitive Thermal Sensor Design Using a Gate-Bias-Controlled TCR in MoSe2 FET
Shubham Saxena · Sumit Sharma · Biswajit Khan · Nitish Kumar 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
电阻温度系数（TCR）是热传感器设计中的关键参数。本文研究了通过栅极电压调控层状半导体材料二硒化钼（MoSe2）的TCR可调性。利用原子力显微镜和拉曼光谱表征MoSe2薄片，其TCR值约为MoS2的两倍、金属薄膜的五倍（通常为0.5% K⁻¹）。在7 V栅压范围内，15 nm厚样品的TCR可提升至2.75% K⁻¹，调谐范围达两倍；65 nm样品的调谐范围更达4.5倍。器件TCR平均相对不确定度分别为3.8%（65 nm）和4.6%（15 nm），展现出优异的热敏性能。
解读: 该MoSe2场效应晶体管热传感技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。其2.75% K⁻¹的高TCR灵敏度和栅压可调特性，可应用于：1）SiC/GaN功率模块的精密温度监测，实现芯片级热管理优化；2）ST储能变流器和SG光伏逆变器的IGBT/MOSFET结温实时监控，提升过载保护精度；3）电动汽...
具有双吸收层的高效钙钛矿异质结太阳能电池用于先进光伏技术
Highly Efficient Perovskite Heterojunction Solar Cell With Dual Absorber Layers for State of Art Photovoltaic Technologies
G. Venkateswarlu · Umakanta Nanda · IEEE Access · 2025年1月
钙钛矿太阳能电池（PSCs）面临不稳定性、高复合损失、电荷传输差和能带排列不佳等问题，限制了其效率与商业化应用。本研究采用MoSe₂作为电子传输层，替代传统的MoS₂，显著改善了与CsPbI₃的导带对齐，增强了红外吸收、载流子迁移率，并优化了能带结构与界面缺陷控制。结合CFTS作为空穴传输层提升器件稳定性，仿真结果显示开路电压达1.40 V，短路电流密度为35.81 mA/cm²，填充因子82.9%，能量转换效率高达41.86%，接近Shockley-Queisser理论极限，为下一代高效稳定钙...
解读: 该双吸收层钙钛矿异质结技术对阳光电源SG系列光伏逆变器及PowerTitan储能系统具有前瞻价值。41.86%的超高转换效率突破传统晶硅极限，可为1500V高压系统提供更高功率密度输入，优化MPPT算法设计空间。MoSe₂电子传输层改善的能带对齐与界面缺陷控制，启发阳光电源在SiC/GaN功率器件界...