找到 1 条结果
基于宽带Rogowski线圈电流传感器的中压SiC MOSFET过流保护
Overcurrent Protection Enabled by Broadband Rogowski Coil Current Sensor for Medium-Voltage SiC MOSFET
Jiakun Gong · Yulei Wang · Liang Wang · Mingrui Zou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
为确保耐用性有限的昂贵中压(MV)器件安全切换,基于罗氏线圈电流传感器(RCCS)的过流保护方案是一种很有前景的方法,具有响应速度快和电气隔离的特点。然而,要使罗氏线圈电流传感器同时具备高抗噪能力和高带宽性能存在固有矛盾。此外,积分器不理想的直流和低频特性会导致漂移和下垂误差。为应对上述挑战,本文研制了宽带罗氏线圈电流传感器,并将其集成到中压碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的过流保护电路中。基于传输线理论设计了新型线圈,以克服寄生元件对带宽的限制。所设计的...
解读: 从阳光电源的业务角度分析,这项基于罗氏线圈电流传感器的过流保护技术对我们的中压光伏逆变器和储能系统具有重要战略价值。随着1500V直流系统在大型地面电站的普及,以及储能系统向更高电压等级发展,中压SiC MOSFET正成为我们功率变换拓扑的核心器件。然而,这类器件价格昂贵且耐受能力有限,快速可靠的过...