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横向β-Ga2O3 MOSFET器件的4 A/300 V开关特性
4 A/300 V Switching of Lateral β-Ga2O3 MOSFET Devices
Kornelius Tetzner · Houssam Halhoul · Martin Damian Cuallo · Oliver Hilt · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月
本研究报告了横向 $\beta$-Ga₂O₃ 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的高压开关性能，重点关注千瓦级工作条件下的动态行为。采用脉冲电流 - 电压（I - V）和瞬态开关测量对总栅极宽度为 92 毫米的大周长器件进行了表征。脉冲输出特性显示，漏极峰值电流达到 13 A，这是 $\beta$-Ga₂O₃ 晶体管有报道以来的最高值，同时导通电阻为 720 mΩ。通过晶圆上测量捕捉到了高压开关瞬态过程，器件承受的关态漏极电压最高可达 350 V。随着关态漏极电压从 10 V 增加...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项β-Ga2O3 MOSFET器件的研究代表了功率半导体领域的重要技术突破。该器件实现了4A/300V的千瓦级开关操作，峰值漏极电流达到13A，这对我们的光伏逆变器和储能变流器产品具有潜在应用价值。 从技术性能分析，β-Ga2O3材料的超宽禁带特性（约4.8eV）使其理...
鳍片倾斜角度优化以提升横向β-Ga2O3 MOSFET的电学性能
Optimization of fin-slanted angles for enhanced electrical performance in lateral _β_-Ga2O3 MOSFETs
Haiwen Xu · Jishen Zhang · Xiao Gong · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
本研究通过实验与Sentaurus TCAD仿真相结合，系统探讨了鳍片倾斜角度（α）对横向β-Ga2O3 MOSFET电学性能的影响。器件呈现增强型特性，开关比达约10⁷。随着α增大，漏源电流（IDS）和外在跨导（Gm）显著提升。同时，因边缘电场集中效应缓解，耐压性能明显改善，在α=15°、栅漏距（LGD）为10 μm时击穿电压（VBR）提高40%。电场分布模拟表明，α≈25°可有效抑制电场聚集，优化直流性能。
解读: 该β-Ga2O3 MOSFET鳍片优化技术对阳光电源功率器件升级具有前瞻价值。Ga2O3作为超宽禁带半导体（Eg~4.8eV），理论击穿场强达8MV/cm，远超SiC的3倍，可支撑更高电压等级应用。研究中通过α=25°鳍片角度优化实现击穿电压提升40%且抑制边缘电场集中的设计思路，可借鉴至ST系列储...