作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

在选择光伏（PV）架构和变流器拓扑时，跟踪效率、成本和可靠性是重要因素。光伏系统需要功率变流器来实现最大功率提取，其中直流 - 直流变流器是常见选择。差分功率处理（DPP）架构可通过减少流经这些变流器的功率，在仍具备最大功率点跟踪（MPPT）能力的同时，实现更高的效率和更低的成本。单相并网光伏系统是住宅应用中最常用的选择，其直流母线需要大容量电容，以最小化由二倍频脉动功率引起的电压纹波，这会影响系统的成本和可靠性。本文为DPP架构中的反激式变流器引入了一种新的MPPT运行模式。所提出的MPPT方...

解读: 从阳光电源住宅光伏逆变器业务视角看，该论文提出的差异功率处理（DPP）架构与超快速MPPT技术具有显著的战略价值。 **核心技术价值**：该技术针对单相并网系统的固有挑战——双倍工频功率脉动导致的大容量直流母线电容需求，提出了创新解决方案。通过改进反激变换器的MPPT运行模式，即使在母线电压剧烈波...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文研究了含构网型（GFM）和跟网型（GFL）逆变器系统中的一种新型振荡现象。与以往主要关注小信号稳定性的研究不同，本文探讨了强迫振荡（FO），其中跟网型逆变器作为激励源，在构网型逆变器中引发振荡。具体而言，最大功率点跟踪（MPPT）控制产生的间谐波触发了构网型逆变器的低频振荡模式。为分析这一现象，本文首先研究了最大功率点跟踪注入的间谐波的功率特性，并在此基础上建立了含构网型和跟网型逆变器连接系统的 <italic xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/M...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇论文揭示的强迫振荡现象对我们的光储混合系统具有重要的工程指导意义。当前我们的产品组合中，光伏逆变器多采用跟网型（GFL）控制，而储能系统则越来越多地配置构网型（GFM）控制以提升电网支撑能力。论文指出的MPPT控制产生的间谐波诱发GFM逆变器低频振荡问题，正是我们在大型...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

在中大容量电力应用中，电力电子变换器通常采用多个开关进行串并联连接，以处理高电压和大电流。为具有高绝缘要求的驱动电路和辅助单元供电颇具挑战。本文提出一种具有恒流（CC）输出特性的模块化多输出无线电能传输系统，用于辅助电源供电。与传统解决方案相比，该系统无需复杂的控制电路和大量磁性材料。通过运用用于推导恒压（CV）输出双频拓扑的解析方法，得出了具有恒流输出的双频拓扑。讨论了系统在不同频率下保持零相角的条件。经验证，该系统的输出波动低于单频多输出系统和双频恒压输出系统。设计了一种集成补偿电感的磁耦合...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项模块化多输出无线电能传输技术具有显著的应用价值。在我们的光伏逆变器和储能变流器产品中，功率模块通常采用多开关串并联拓扑以处理高电压大电流，其驱动电路和辅助单元的供电一直是技术难点，特别是在高压隔离和可靠性方面面临挑战。 该论文提出的恒流输出无线供电方案具有三个关键优势...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

脉宽调制（PWM）是现代电力电子技术中的一个基础概念，通常通过对功率半导体器件（如金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT））进行高频开关操作并控制占空比来实现。本文介绍了一种全新的PWM开关概念：变换器PWM开关（CPS）。与传统的PWM开关不同，CPS利用变换器的一个端口来实现PWM开关的功能，而其额外的端口则用于提供或吸收功率，从而催生了一类新的变换器拓扑结构，即基于CPS的变换器。本文详细讨论了所提出的CPS的定义和推导过程。为了展示这一概念...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，转换器PWM开关（CPS）概念代表了功率变换技术的重要创新方向。该技术突破了传统PWM开关仅依赖单一功率器件高频开关的局限，通过将变换器的一个端口作为PWM开关使用，而其他端口用于功率传输，为新型拓扑结构的开发提供了理论基础。 对于阳光电源的核心业务，CPS技术具有显著的...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文研究了一种统一方法，用于实现串联 - 串联宇称 - 时间（PT）对称无线电能传输系统在破缺和精确PT 相位下的鲁棒最大功率点跟踪（MPPT）。在破缺相位中，通过负载电阻跟踪实现最大功率点跟踪，同时将工作频率固定在自然谐振频率。在精确相位中，通过分叉频率跟踪实现最大功率点跟踪，同时保持负载电阻不做调整。理论和实验分析均表明，在两种 PT 相位下，均可在较宽的耦合系数范围内轻松实现并稳健维持最大功率点跟踪。这些研究结果尤其适用于同时要求高功率和抗偏移鲁棒性的无线充电场景。

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于宇称-时间对称（PT-symmetric）的无线电力传输最大功率点跟踪（MPPT）技术呈现出重要的战略价值，特别是在储能系统和电动汽车充电领域的应用潜力值得关注。 该技术的核心创新在于统一解决了PT对称系统在不同相态下的MPPT问题：在破缺相通过负载电阻跟踪实现，...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

零电压开关（ZVS）对于降低双有源桥（DAB）变换器的开关损耗至关重要。传统的 DAB 移相控制受开关结电容的影响，存在固有的非 ZVS 区域。本文提出一种量子功率脉冲组合调制方法来填补非 ZVS 间隙，该方法通过一系列具有整数周期的功率或无功率脉冲来调节功率。在无功率期间，一个桥臂产生零电平电压，因此通过调节另一个桥臂的占空比，电感电流可以表现为可控的励磁电流，从而实现两个相邻周期之间的无缝过渡。所提出的方法使 DAB 工作在断续连续电流模式下，并在轻载和宽电压增益区域（尤其是接近单位增益时）...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项量子功率脉冲组合调制技术对我们的储能变流器和光伏逆变器产品线具有重要的应用价值。双有源桥（DAB）变换器是我们储能系统中DC-DC变换的核心拓扑，该技术针对传统移相控制在轻载和宽电压增益范围内难以实现全范围零电压开关（ZVS）的痛点，提出了创新性解决方案。 该技术的核...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

模块级电力电子设备能够克服局部阴影影响，实现每个光伏（PV）面板的最大发电量。然而，这增加了光伏面板与转换器之间出现直流串联电弧故障的可能性。电流调制技术可利用电弧电阻特性检测并消除直流串联电弧故障。但该方法会因故障检测不准确而降低发电量。本文提出一种结合电流调制和机器学习方法的直流串联电弧故障检测与消除策略，通过双重筛选提高故障检测的准确性。合适的机器学习算法可最大程度减少电流调制的误触发，从而提高正常情况下的光伏发电量。所提方法能够在不考虑阻抗和外部变化的情况下，区分电弧故障和正常状态。本文...

解读: 从阳光电源组串式逆变器和模块级电力电子（MLPE）产品线角度来看，这项结合机器学习与电流调制的直流串联电弧故障检测技术具有重要战略价值。随着光伏系统向分布式、模块级方向发展，我们的微型逆变器和优化器产品面临更复杂的电弧故障风险，这项技术提供了一个系统性解决方案。 该技术的核心价值在于通过双重筛选机...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

电池均衡是电池管理系统的关键要素，用于确保电池单体的电压差处于合适范围内。本文提出了一种基于多绕组变压器（MWT）的有源电池均衡器，并配备了具有成本效益的栅极驱动电路。该均衡器可使所有电池在任何时候同时进行均衡，与传统的基于半桥的多绕组变压器均衡器相比，均衡速度更快。此外，该均衡器中使用的所有金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）均由基于脉冲变压器隔离或电容隔离的多端口电路驱动，从而降低了成本并减小了尺寸。这些特性使得所提出的电池均衡器更适用于需要快速电池均衡的电池储能系统和电...

解读: 从阳光电源储能系统业务角度看，这项基于多绕组变压器的电池均衡技术具有显著的应用价值。当前我司储能产品线涵盖工商业储能和大型电网侧储能系统，电池管理系统（BMS）的均衡性能直接影响系统效率、寿命和安全性。 该技术的核心优势在于两点：首先，同步均衡能力突破了传统半桥架构的串行限制，可实现所有电芯的并行...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

为了更好地指导碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在变流器中的优化运行，准确估算功率回路杂散电感至关重要，这可避免开关暂态过程中出现不可接受的过电压和电磁干扰噪声。本文提出一种基于目标杂散电感与直流母线解耦电容强制低频谐振的杂散电感提取方法，该谐振可通过在直流母线中设置一个开关巧妙触发。通过选用I类陶瓷电容器作为稳定的解耦电容，可构建理想的谐振回路，从而实现精确计算。实验验证了该方法的提取精度，与使用专业阻抗分析仪E4990A的测量结果相比，相对误差为2.9%。此外，与现有依赖快速...

解读: 从阳光电源的业务角度来看，这项基于强制谐振的SiC MOSFET功率环路杂散电感精确提取技术具有重要的工程应用价值。随着公司在光伏逆变器和储能变流器产品中大规模采用SiC器件以提升功率密度和效率，精确掌握功率回路杂散电感参数已成为优化产品性能的关键环节。 该技术的核心价值在于解决了传统高频谐振测量...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

在本文中，提出了一种新颖的参数设计方法，以实现具有准恒定电压（CV）输出的 E 类逆变器的全范围软开关。通过提出一种更精确的建模方法，分析了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）体二极管的提前导通以及开关关断期间并联电容的再充电现象。通过优化谐振参数，可以避免由于 MOSFET 并联电容再充电而导致的硬开关。因此，与负载无关的零电压开关可扩展至整个负载范围。此外，利用所提出的参数设计方法，可在一定范围内获得适应负载变化的准 CV 输出。搭建了一个工作频率为 1 MHz 的实验平台，实验结果...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项E类逆变器全范围软开关技术具有显著的应用潜力，尤其在高频化、小型化的新能源转换系统中价值突出。 该技术的核心创新在于通过优化谐振参数设计，解决了传统E类逆变器在宽负载范围内难以保持软开关的技术瓶颈。论文提出的精确建模方法有效分析了MOSFET体二极管提前导通和并联电容...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

近年来，单一并网构网型逆变器（GFMI）系统的暂态稳定性已得到深入分析，但考虑无功功率控制的并联 GFMI 系统的定量暂态稳定性分析尚未得到研究。为填补这一空白，本文新建立了考虑逆变器间相互作用的并联 GFMI 系统的等效大信号模型。基于该模型，新构建了考虑无功功率控制动态、阻尼耗散和相互作用效应的与路径无关的李雅普诺夫函数（LF），用于定量暂态稳定性分析，该函数可获取最大吸引域以进行稳定性预测、估计临界清除时间并表征稳定裕度。与传统的李雅普诺夫函数相比，吸引域的保守性和估计临界清除时间的误差显...

解读: 从阳光电源的业务实践来看，这项关于并联构网型逆变器暂态稳定性的量化分析研究具有重要的工程应用价值。随着我们在大型光伏电站、储能系统以及微电网解决方案中越来越多地采用构网型逆变器技术，多机并联运行已成为常态场景，该研究直接切中了当前技术痛点。 论文的核心贡献在于建立了考虑逆变器间交互作用的等效大信号...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

我们展示了采用创新的双侧工艺（DSP）实现的单片集成互补垂直沟道场效应晶体管（CVFET）反相器。NMOS和PMOS均实现了良好的电学特性：顶部NMOS的跨导为$69~\mu$ S/$\mu$m，导通电流$I_{on}$为$18~\mu$ A/$\mu$m（@栅源电压$V_{GS}$ - 阈值电压$V_{T} = 0.45$ V，电源电压$V_{DD}=0.65$ V），导通电流与关断电流之比$I_{on}/I_{off} = 3.1\times 10^{6}$，亚阈值摆幅$SS = 69$ m...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项互补垂直场效应晶体管（CVFET）技术虽然属于先进半导体工艺领域，但对我们的核心产品线具有重要的潜在战略价值。 该技术通过创新的双面工艺实现了NMOS和PMOS的单片集成，展现出优异的电气特性：亚阈值摆幅接近理想值（69-72 mV/dec），开关电流比达到10^6量...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

本快报报道了一款硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT）在D波段的功率放大情况。一款栅长（${L}_{g}$）为140纳米的硅基氮化铝/氮化镓/氮化铝镓（AlN/GaN/AlGaN）金属 - 绝缘体 - 半导体（MIS） - HEMT实现了最大漏极电流（${I}_{\textit {dmax}}$）为2.0安/毫米、最大跨导（${g}_{\textit {mmax}}$）为0.65西/毫米，以及截止频率（${f}_{T}$）/最高振荡频率（${f}_{\textit {ma...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-on-Si HEMT在D波段功率放大领域的突破具有重要的技术参考价值，尽管其直接应用场景与公司当前主营业务存在差异。 该研究展示的GaN-on-Si技术在123 GHz频段实现0.67 W/mm的功率密度，主要面向6G通信等sub-THz应用。对于阳光电源而言...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

尽管创新技术节点的性能指标持续快速提升，能效却未能同步改善。本文成功构建了一种基于同质单层二硒化钨（WSe₂）沟道并实现极性调控的低功耗CMOS反相器。通过精确调控接触界面势垒和栅介质，实现了n型与p型晶体管在同一材料上的兼容集成，显著降低了功耗。该器件展现出优异的开关特性与高噪声容限，为二维材料在超低功耗数字电路中的应用提供了可行路径。

解读: 该低功耗CMOS反相器技术对阳光电源储能系统和光伏逆变器的控制电路优化具有重要价值。基于WSe₂单层材料的极性调控技术可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的数字控制芯片设计，显著降低控制电路静态功耗。其优异的开关特性和高噪声容限特别适合PowerTitan大型储能系统的分布式控制单元，可在...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

我们报道了采用氟离子注入终端（FIT - MOS）的 1200 V 全垂直氮化镓（GaN）基硅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。带有负固定电荷的 FIT 区域具有高电阻特性，可自然隔离分立器件，取代了传统的台面蚀刻终端（MET），消除了台面边缘的电场集中效应，从而使 FIT - MOS 的击穿电压从 MET - MOS 的 567 V 提升至 1277 V。此外，所制备的 FIT - MOS 的阈值电压（<inline - formula xmlns:mml="http://ww...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项1200V全垂直GaN-on-Si功率MOSFET技术具有重要的战略价值。该技术通过氟离子注入终端（FIT）工艺，将击穿电压从传统台面刻蚀方案的567V大幅提升至1277V，这一突破为我们在光伏逆变器和储能系统中采用GaN器件开辟了新路径。 对于阳光电源的核心产品线，...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

具有 n - i - p 结构的有机 - 无机卤化物钙钛矿太阳能电池（PSCs）因其出色的功率转换效率和化学稳定性，在商业化方面展现出巨大潜力。然而，电子传输层（ETLs）与钙钛矿薄膜之间的界面缺陷是一个关键挑战，严重限制了光伏性能。在此，我们引入 5 -（三氟甲基）吡啶 - 2 - 羧酸（TPCA）作为 SnO₂/钙钛矿掩埋界面的多功能界面改性剂。TPCA 能有效钝化 SnO₂表面的 Sn - OH 悬空键，同时调节表面能以引导钙钛矿薄膜的结晶。通过这种化学钝化与物理调控相结合的协同机制，经 ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项钙钛矿太阳能电池界面工程技术展现出显著的战略价值。该研究通过TPCA分子修饰SnO2/钙钛矿界面，将电池效率从22.10%提升至24.38%，并在1000小时测试后保持90.7%的初始效率，这两项指标直接关系到我们光伏系统的发电效率和全生命周期收益。 对于阳光电源而言...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

深入研究光与物质相互作用产生的新现象是一项至关重要的科学研究工作。在本报告中，我们研究了520 nm激光激发下p - Si表面的横向光生伏特效应和空间电阻。由于p - Si的表面态，横向光生电压灵敏度可达286 mV/mm，空间电阻变化率可达1059%。然后，我们通过在Si表面生长三种不同形貌的MoS₂来调控这两种效应。由于MoS₂纳米颗粒的光敏特性，横向光生电压灵敏度可提高至368 mV/mm，而空间电阻变化率可达2202%。在此过程中，我们观察到一个新现象，即经MoS₂修饰的p - Si表面...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的MoS₂/p-Si界面横向光伏效应和空间电阻效应具有重要的前瞻性研究价值，但距离商业化应用尚有较大距离。 **技术价值分析：** 该研究展示了通过MoS₂纳米颗粒修饰硅表面，可将横向光电压灵敏度提升至368 mV/mm，空间电阻变化率达到2202%。这种显著的...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

α - Ga₂O₃是有望推动下一代电力电子技术发展的超宽禁带半导体之一。然而，由于其热力学不稳定且热导率较低，过热问题阻碍了α - Ga₂O₃器件的应用。本研究揭示了多指α - Ga₂O₃金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）中热串扰的不利影响。通过第一性原理计算和基于激光的泵浦 - 探测测量确定了α - Ga₂O₃的热导率（室温下约为12瓦每米开尔文）。进行了器件热特性表征和建模，以设计一种脊椎形多指器件布局，该布局通过分散整个器件的发热分布来减轻热串扰。

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于α-Ga₂O₃超宽禁带半导体的热管理研究具有重要的战略参考价值。α-Ga₂O₃作为新一代功率半导体材料，其超宽禁带特性（约5.0 eV）理论上可实现更高的击穿电压和更低的导通损耗，这对我们的光伏逆变器和储能变流器等核心产品的效率提升具有显著意义。 该研究揭示的热串...

作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

本研究展示了一种氮化镓（GaN）增强型单片双向开关（MBDS），其在两种极性下的击穿电压（BV）均高于3.3 kV。该MBDS是在蓝宝石衬底上的双p - GaN栅高电子迁移率晶体管（HEMT）平台上实现的。它采用了一种新颖的双结终端扩展设计来进行电场管理，该设计基于栅极堆叠中的p - GaN层构建，无需外延再生长。这款GaN MBDS在两个方向上均呈现出对称的导通状态特性，阈值电压（$V_{\text {th}}$）为0.6 V，比导通电阻（$R_{\text {on,sp}}$）低至5.6 m...

解读: 从阳光电源中压电力电子产品线的战略角度看，这项3.3kV氮化镓单片双向开关技术具有显著的应用价值。该器件突破了传统双向开关由两个分立器件背靠背组成的架构限制，在双向导通时实现了5.6 mΩ·cm²的超低导通电阻，这一指标已优于分立方案的理论极限，对提升系统效率和功率密度具有实质意义。 在光伏逆变器...

Guangjie Gao · Zhihong Liu · Lu Hao · Fang Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年1月

在硅衬底上制备了具有 160 纳米 T 形凹槽栅的增强型（E 型）AlN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。所制备的器件阈值电压（${V}_{\text {TH}}$）为 +0.35 V，最大漏极电流（${I}_{\text {DMAX}}$）为 1.58 A/mm，导通电阻（${R}_{\text {ON}}$）低至 1.8 Ω·mm，峰值跨导（${G}_{\text {MMAX}}$）超过 580 mS/mm。截止频率（${f}_{\text {T}}$）达到 85 GHz，最大振荡频...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项增强型AlN/GaN HEMT技术展现出显著的战略价值。该器件在低供电电压（6V）下实现80.4%的功率附加效率（PAE），这一突破性指标直接契合我们光伏逆变器和储能变流器对高效功率转换的核心需求。 技术优势方面，该器件的正阈值电压（+0.35V）实现了常关特性，这对...