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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有独立源极通孔的硅衬底多栅指微波GaN HEMT

Multi-Gate Finger Microwave GaN HEMTs on Si Substrates With Individual Source Vias

Lu Hao · Zhihong Liu · Jin Zhou · Xiaoyan Li 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月

在这篇快报中,我们在 6 英寸硅衬底上制造了多栅指氮化镓(GaN)微波高电子迁移率晶体管(HEMT),采用独立源通孔(ISV)实现源极焊盘的互连。与空气桥相比,独立源通孔技术表现出更低的寄生电容,并且有可能提高大规模制造的良品率。该器件采用 T 形栅,栅脚长度 ${L}_{\text {g}}$ 为 $0.5~\mu $ 米,栅宽为 ${4}\times {100}~\mu $ 米,其最大漏极电流( ${I}_{\text {dmax}}$ )达到 600 毫安/毫米,峰值跨导( ${g}_{\...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于硅基GaN HEMT器件的个体源极通孔(ISV)技术具有重要的战略价值。GaN功率器件是新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术,直接影响系统的功率密度、转换效率和可靠性。 该技术的核心创新在于用硅通孔替代传统空气桥结构实现源极互联,这为阳光电源带来三方面优势:首先...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

蓝宝石衬底上高压p-GaN栅HEMT的自增强非钳位感性开关鲁棒性

Self-Enhanced Unclamped-Inductive-Switching Robustness of High-Voltage p-GaN Gate HEMT on Sapphire Substrate

Sheng Li · Yanfeng Ma · Hao Yan · Mingfei Li 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

首次发现并研究了蓝宝石衬底上高压 p 型氮化镓(GaN)栅高电子迁移率晶体管(HEMT)(蓝宝石衬底 GaN HEMT)一种新颖的自增强非钳位电感开关(UIS)行为。除了传统的硅基 GaN HEMT 类似 LC 的谐振行为外,蓝宝石衬底 GaN HEMT 的 UIS 行为有显著偏差,且呈现出与温度相关的击穿电压,这表明高电场可能会引发碰撞电离,并主导击穿现象。此外,进行了技术计算机辅助设计(TCAD)仿真和输出电容表征,共同证实了这一机制。由于电感能量通过碰撞电离电流耗散,蓝宝石衬底 GaN H...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于蓝宝石基GaN功率器件的研究具有重要的战略意义。该技术揭示了p-GaN栅极HEMT在蓝宝石衬底上展现出的自增强型非钳位感性开关(UIS)鲁棒性,这一特性对我们的光伏逆变器和储能变流器等核心产品的可靠性提升具有直接价值。 研究发现,相比传统的硅基GaN器件,蓝宝石基...

电动汽车驱动 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

SiC MOSFET:800V电动汽车空调压缩机的必然趋势

SiC MOSFETs: The Inevitable Trend for 800V Electric Vehicle Air Conditioning Compressors

He Xu · Lianjie Wang · Chushan Li · Wuhua Li 等6人 · IEEE Transactions on Vehicular Technology · 2024年9月

与传统燃油汽车不同,电动汽车的空调系统不仅要承担车厢的热管理,还要负责电池系统的热管理,甚至包括电机控制的热管理。对制冷和制热功率的高要求导致电动汽车的续航里程大幅减少。作为空调系统的核心,电动压缩机在电动汽车的热管理中起着至关重要的作用。本文表明,与硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)相比,碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)更适用于 800V 电动汽车的电动压缩机。本文从系统能效、压缩机运行边界、噪声、振动与声振粗糙度(NVH)性能以及系统小型化趋势等方面...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,本论文关于SiC MOSFET在800V电动汽车空调压缩机中的应用研究,为我们在新能源电力电子领域的技术演进提供了重要参考价值。 首先,论文系统论证了SiC MOSFET相比传统Si IGBT在高压应用中的优势,这与阳光电源在光伏逆变器和储能变流器领域的技术路线高度契合。...

系统并网技术 构网型GFM 调峰调频 ★ 5.0

单电压环PI控制构网型变流器的稳定性分析与谐波滤波增强

Stability Analysis and Harmonic Filtering Enhancement of Single-Voltage-Loop PI- Controlled Grid-Forming Converters

Wenrui Li · Wenjia Si · Mowei Lu · Jingyang Fang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

由于具备交流电压形成和频率调节能力,电网形成型变流器(GFMCs)在电力电子领域保持着强劲的增长态势。与多环控制策略相比,单环电压控制具有传感器和控制器简单、动态响应迅速且无电压/电流控制相互作用等优点。然而,本文研究发现,采用单电压环比例 - 积分(PI)控制器的LCL滤波型GFMCs,为了在并网和孤岛场景下稳定运行,需要较高的谐振频率,而较小的滤波器尺寸会导致开关谐波滤波效果变差。因此,本文提出了一种针对GFMCs的开关谐波滤波增强策略,即采用LLCL滤波器,其LC陷波器在开关频率处形成串联...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于单电压环PI控制构网型逆变器的研究具有重要的工程应用价值。构网型变流器(GFMC)技术是我司光储一体化系统和微电网解决方案的核心技术方向,其电压源特性能够为弱电网和离网场景提供稳定的频率和电压支撑,这与我司在高比例新能源接入场景下的战略布局高度契合。 该论文揭示的...

功率器件技术 GaN器件 可靠性分析 ★ 4.0

基于6英寸Si的MIS p-GaN隧穿栅HEMT:一种提升栅极可靠性的新方法

MIS p-GaN Tunneling Gate HEMTs on 6-In Si: A Novel Approach to Enhance Gate Reliability

Zhanfei Han · Xiangdong Li · Jian Ji · Qiushuang Li 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

为了提高 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极摆幅并降低栅极泄漏,本工作引入了具有超薄 Al₂O₃ 隧穿层的新型金属 - 绝缘体 - 半导体(MIS)p - GaN 隧穿栅 HEMT。通过改变原子层沉积(ALD)的氧源以及 MIS 结构中 Al₂O₃ 的厚度,我们得到以下结果:1)使用 H₂O 作为氧源进行 Al₂O₃ 沉积时引入的过量氢会严重使 Mg 掺杂剂失活,使阈值电压 $V_{\text {TH}}$ 负向漂移,并损害动态性能;2)MIS 结构可有效提高正向偏置栅极击穿...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项MIS p-GaN隧穿栅极HEMT技术对我们在光伏逆变器和储能系统中的功率器件应用具有重要战略意义。 该技术通过在p-GaN栅极结构中引入超薄Al2O3隧穿层,有效解决了传统p-GaN栅极HEMT的核心痛点。对于阳光电源的高功率密度逆变器产品,该技术带来的正向栅极击穿...

电动汽车驱动 构网型GFM ★ 5.0

构网型换流器的暂态功角与电压稳定性联合分析及增强

Joint Transient Angle and Voltage Stability Analysis and Enhancement of Grid-Forming Converters

Wenjia Si · Wenrui Li · Nima Tashakor · Jingyang Fang · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年9月

作为多电力电子电源电力系统中的一项关键技术,构网型变流器正日益普及。然而,其在电网故障下的暂态行为尚未得到充分研究。特别是,现有文献仅分别研究暂态功角或电压稳定性问题,未考虑两者同时发生的情况。为填补这一研究空白,本文对暂态功角和电压稳定性问题进行了全面分析。首先,推导了平衡点的存在条件。然后,利用拉萨尔不变集定理揭示了稳定平衡点的吸引域。所推导的稳定条件可确保构网型变流器在暂态过程中安全运行。此外,研究发现有功功率削减和无功功率注入均能增强暂态功角和电压稳定性。然而,有功功率削减会恶化频率调节...

解读: 从阳光电源的业务布局来看,这项关于构网型变流器暂态稳定性的联合分析研究具有重要的战略价值。随着公司在光伏逆变器和储能系统领域向构网型技术转型,该论文提出的联合暂态角稳定和电压稳定分析方法直接切中当前技术痛点。 在技术价值层面,该研究首次系统性地分析了构网型变流器在电网故障时同时面临的角稳定和电压稳...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 三电平 ★ 5.0

一种固定开关频率的混合型ANPC优化模型预测控制方法

An Optimized Model Predictive Control Method for Hybrid ANPC With Fixed Switching Frequency

Zhaohui Wang · Shunfeng Yang · Ling Feng · Zhe Li 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

本文提出一种改进的有限控制集模型预测控制(FCS-MPC)策略,用于三电平Si/SiC混合有源中点钳位(3L-HANPC)变换器,旨在多目标下优化控制性能。该方法通过将电流约束转化为电压约束,降低计算复杂度,减少除法运算;并设计特定电压矢量序列,实现低频与高频开关单元的固定开关频率,有效抑制中点电压波动。所提策略提升了效率、计算简洁性及损耗分布均匀性,改善了热管理性能。基于4-SiC HANPC逆变平台的实验验证了其在稳态与动态性能上的优越性,并显著降低数字信号处理器的计算负担,具备良好的工程应...

解读: 该固定开关频率混合ANPC优化模型预测控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列大功率光伏逆变器具有重要应用价值。通过Si/SiC混合拓扑实现损耗均衡与热管理优化,可直接应用于PowerTitan储能系统的功率单元设计,提升系统效率和可靠性。所提电流约束转化为电压约束的简化算法降低DSP计算负担...

拓扑与电路 ★ 4.0

采用准自对准着陆垫实现100 Ω寄生电阻和965 μA/μm导通电流的高性能GAA晶体管

High-Performance GAA FETs With 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current Using Quasi-Self-Aligned Landing Pads

R. J. Jiang · P. Wang · J. X. Yao · X. X. Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

为克服环绕栅场效应晶体管(GAA FETs)中严重的外延缺陷所导致的高寄生电阻和驱动性能不佳的挑战,本文提出了一种准自对准着陆垫(QSA LPs)技术,并展示了在 GAA FETs 中多层堆叠沟道与单晶硅锗/硅超晶格源/漏(SD)结构之间的无缺陷连接。与采用宽间距着陆垫的器件相比,使用 QSA LPs 技术时,N 型场效应晶体管(NFET)和 P 型场效应晶体管(PFET)的寄生源/漏电阻($R_{SD}$)分别降低了 98.8% 和 96.3%。因此,对于栅长为 180 nm 的 N/PFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GAA FET准自对准着陆焊盘技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的工艺方案,将寄生电阻降低超过96%,并实现965 μA/μm的高导通电流,这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器领域,功率半导体器件的性能直接决定了系统的转换效率和功率密度。GAA FET...

控制与算法 SiC器件 模型预测控制MPC 深度学习 ★ 5.0

基于长时域FCS-MPC训练的一维卷积神经网络用于FPGA平台电力电子变换器控制——以Si/SiC混合变换器为例

Long-Horizon FCS-MPC Trained 1-D Convolution Neural Networks for FPGA-Based Power-Electronic Converter Control With a Si/SiC Hybrid Converter Case Study

Ning Li · Hao Yu · Stephen Finney · Paul D. Judge · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年2月

传统的电力电子长时域有限控制集模型预测控制(FCS - MPC)在实时实现方面存在两个主要问题:1)计算负担和延迟;2)对现场可编程门阵列(FPGA)等实时平台的硬件资源要求较高。为解决这些问题,研究人员提出利用模型预测控制结果作为离线训练数据来训练人工神经网络(ANN),并将其应用于实时控制器中,以替代原有的模型预测控制模型。通过这种方式,人工神经网络减轻了在线计算负担和对硬件资源的需求。本文提出了一种基于FPGA的用于长时域FCS - MPC的一维卷积神经网络(CNN)。为进一步简化网络模型...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于FPGA的一维卷积神经网络(CNN)控制技术对我们的核心产品线具有重要战略价值。该技术通过机器学习方法解决了长时域有限控制集模型预测控制(FCS-MPC)在功率电子变换器中的实时实现难题,这与我们在光伏逆变器、储能变流器等产品中面临的控制性能优化需求高度契合。 技...

电动汽车驱动 充电桩 SiC器件 LLC谐振 ★ 4.0

一种基于时域解析模型的数字实时计算算法在6.6-kW 300-kHz SiC便携式电动汽车双向CLLC同步整流器中的应用

A Digital Real-Time Computation Algorithm Utilizing Time-Domain Analytic Model for Bidirectional CLLC Synchronous Rectifier in 6.6-kW 300-kHz SiC Portable EV Chargers

Haoran Li · Tong Lei · Cungang Hu · Xirui Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

使用同步整流器(SR)极为重要,因为碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的二极管正向电压可能比硅(Si)MOSFET高至六倍,这会导致高得多的传导损耗。传统的CLLC同步整流通常采用检测电路或构建复杂模型,但它们易受碳化硅器件产生的高dv/dt影响,或者由于复杂的数值计算而难以在线实现同步整流。本文针对双向碳化硅CLLC变换器提出了一种数字实时计算同步整流算法。构建了时域解析模型以在线计算同步整流导通时间。该算法不仅通过优化同步整流MOSFET的导通时间实现了...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的数字实时同步整流算法对我司在电动汽车充电、储能变流器等双向功率变换领域具有重要参考价值。 **技术价值分析:** 该算法针对SiC MOSFET体二极管导通压降高(约为硅器件6倍)的固有缺陷,通过时域解析模型实现同步整流在线优化计算,有效降低导通损耗。相比传统...

功率器件技术 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 5.0

大功率双面冷却模块中大面积SiC MOSFET的电热分析

Electrothermal Analysis of a Double-Side Cooling Power Module With Large-Area SiC MOSFETs

Yi Jiang · Cancan Li · Liming Che · Yizhuo Dong 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年11月

与传统的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相比,碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的芯片面积通常较小。大面积(10×10 毫米)碳化硅 MOSFET 的性能有待研究。本文对大面积碳化硅 MOSFET 与常规尺寸(5×5 毫米)碳化硅 MOSFET 并联时的电热特性进行了分析。结果表明,与常规尺寸芯片相比,大面积芯片优化了封装参数,减轻了电流不平衡问题,并且在双面冷却(DSC)模块中具有更好的热性能。制作了采用大面积芯片的 SOT - 227 模块,并对该模块的...

解读: 从阳光电源的业务角度分析,这项关于大面积SiC MOSFET双面冷却功率模块的研究具有重要的战略价值。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器的核心部件,直接影响系统的功率密度、效率和可靠性。 该研究提出的10×10mm大面积SiC MOSFET相比传统5×5mm芯片并联方案,在多个维度展现出显...

储能系统技术 ★ 5.0

钙掺杂锆钛酸钡薄膜的储能特性及击穿强度增强

Energy storage properties and enhanced breakdown strength of calcium-doped barium zirconate titanate thin films prepared by the sol–gel method

Xing Zhang · Chen Zhang · Haoliang Li · Zhipeng Ma 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年4月 · Vol.36.0

采用溶胶-凝胶旋涂法制备了钙(Ca²⁺)掺杂的BZT薄膜Ba₁₋ₓCaₓZr₀.₂Ti₀.₈O₃(x = 0, 0.05, 0.1, 0.15和0.2),并将其沉积在Pt/Ti/SiO₂/Si基底上,用于脉冲电容器应用。通过调节Ca²⁺浓度,系统表征了Ba₁₋ₓCaₓZr₀.₂Ti₀.₈O₃薄膜的微观结构、铁电性能及储能性能。结果表明,Ca²⁺掺杂的BZT薄膜呈现单相钙钛矿结构。随着Ca²⁺浓度的增加,由于Ca²⁺离子取代BZT晶格A位离子,晶胞体积和容差因子均有所下降。当Ca²⁺含量增至x =...

解读: 该钙掺杂钛酸锆钡薄膜技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。研究实现的4210kV/cm击穿场强和33.1J/cm³能量密度,为ST系列PCS的薄膜电容器选型提供新方向。超高耐压特性可优化PowerTitan储能系统的直流母线电容设计,提升功率密度和循环寿命。纳米晶粒结构带来的低漏电流特性,可应用于...

储能系统技术 储能系统 DC-DC变换器 构网型GFM ★ 5.0

特刊主编寄语:电力电子在未来可再生能源和Power-to-X系统中的作用

Guest Editorial: Special Issue on Power Electronics Role in Future Renewables and Power-to-X Systems

Ahmed Abdelhakim · Dmitri Vinnikov · Jon Are Suul · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月

2015巴黎协定和2023年IPCC气候变化报告将主要能源消费部门的脱碳列为首要任务,对当今能源系统提出了长期可持续能源生产和存储的重大挑战。氢能和Power-to-X(P2X)方案是最具前景的应对策略之一,可大量利用可再生能源并开辟绿色能源存储和运输的新途径。P2X是将电力转换为碳中和合成燃料(如氢气、合成天然气或化学品)的转换技术集合术语。电力电子在提升此类系统性能和降低最终产品成本方面发挥关键作用,需整合不同系统如各类可再生能源供电电解槽集群制氢并可能连接电网提供电网支持。

解读: 该P2X特刊主题与阳光电源氢能战略高度契合。阳光电源在电解槽变流器、氢能源管理系统和可再生能源制氢一体化解决方案方面具有技术积累。特刊涵盖的电力电子变换器及调制、直流和交流微电网控制、变换器分析建模、测量与保护四大主题与阳光ST系列储能变流器、SG系列光伏逆变器和微电网解决方案的技术路线一致。文中提...

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