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排序:
智能化与AI应用 强化学习 模型预测控制MPC 微电网 ★ 4.0

面向多场景泛化的多阶段动态规划在线调度方法:基于通用价值函数学习的配电网调度

Scenario-Generalized Multi-Stage Dynamic Programming for Online Dispatch of Distribution Networks via Universal Value Function Learning

Zhenning Pan · Yukun Deng · Tao Yu · Yufeng Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年8月 · Vol.41

本文提出场景泛化的多阶段动态规划(S-MSDP)方法,通过学习映射场景上下文到价值函数的通用模型,实现配电网在线调度的零样本适应能力,无需重训练即可应对分布外不确定性,提升调度最优性、泛化性与可扩展性。

解读: 该研究对阳光电源iSolarCloud智能运维平台及PowerTitan/ST系列储能PCS的实时协同调度具有重要价值。其通用价值函数框架可嵌入iSolarCloud的AI调度引擎,提升光储系统在负荷/新能源出力突变等未知场景下的自适应决策能力;建议在PowerTitan集群调度中集成S-MSDP算...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

多孔介质热化学储能反应器中的辐射传热与结构优化

Radiative heat transfer and structural optimization in porous media thermochemical energy storage reactor

Danni Ma · Bachirou Guene Lougo · Shuo Zhang · Boxi Geng 等10人 · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.301

摘要 基于金属氧化物氧化还原循环(MORC)的热化学储能(TCES)反应器对于将间歇性可再生能源整合到高温应用中至关重要。然而,其性能常受到复杂的多物理场耦合作用和不足的热管理能力的限制。本研究采用经过验证的二维轴对称多物理场模型,对多孔填充床反应器中的传热过程进行了全面分析。结果表明,显著降低保温层热导率可使多孔介质平均温度几乎提高一倍,但会牺牲径向温度均匀性。当传热流体入口温度超过1000 K时,辐射传热显著增强,占总热通量的比例可达90%,而提高流速仅带来微弱的对流传热增益。较低的孔隙率可...

解读: 该热化学储能研究对阳光电源ST系列储能系统的热管理优化具有重要参考价值。研究揭示的辐射传热主导机制(占比达90%)及多物理场耦合建模方法,可应用于PowerTitan等大型储能系统的热仿真设计。其结构优化策略——通过调整介质半径提升核心温度6%、优化绝缘设计获得10.2%性能提升,可指导PCS功率模...

功率器件技术 功率模块 SiC器件 宽禁带半导体 ★ 4.0

沟槽栅功率硅MOSFET体二极管优化反向恢复模型

An Optimized Reverse Recovery Model of Trench Gate Power Si MOSFET Body Diode

Shuaiqing Zhi · Mingcheng Ma · Yanchen Pan · Yishun Yan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月 · Vol.14

针对沟槽栅Si MOSFET(U-MOSFET)体二极管在逆变器半桥中反向恢复阶段(RRS)因结电容非线性导致的电流/电压轨迹失真问题,提出基于Coss-V特性的优化反向恢复模型,显著提升RRS瞬态仿真精度,di/dt和损耗误差分别降低≥49.7%和73.8%。

解读: 该研究直接提升组串式光伏逆变器和ST系列储能变流器(PCS)中Si基功率模块的开关过程建模精度,尤其在低频硬开关工况下可优化死区时间设计、降低EMI与开关损耗。建议阳光电源在iSolarCloud平台的器件级数字孪生模型及PowerStack系统热-电协同仿真中集成该模型,增强对U-MOSFET体二...

储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

沟槽栅功率硅MOSFET体二极管优化反向恢复模型

An Optimized Reverse Recovery Model of Trench Gate Power Si MOSFET Body Diode

Shuaiqing Zhi · Mingcheng Ma · Yanchen Pan · Yishun Yan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

沟槽栅功率硅MOSFET(U-MOSFET)在低压低频应用中因高电流密度、低导通电阻、成本效益和可靠性而相对宽禁带器件具有显著优势。然而在逆变器半桥中,U-MOSFET体二极管BD的反向恢复特性和结电容非线性影响反向恢复阶段RRS的漏源电流和电压轨迹,导致高di/dt变化和损耗。RRS中电流和电压轨迹的准确性对评估U-MOSFET开通瞬态至关重要。SPICE模型描述的RRS电流和电压轨迹因对结电容非线性特性关注不足而与实际结果偏离。为解决该问题,提出使用结电容Coss的电容-电压C-V特性描述R...

解读: 该U-MOSFET反向恢复模型研究对阳光电源功率器件选型和建模有重要参考价值。虽然阳光电源主推SiC/GaN宽禁带器件,但在低压大电流应用(如12V/48V储能系统、车载DC-DC变换器)中硅MOSFET仍有成本优势。优化模型通过结电容C-V特性精确描述反向恢复过程,di/dt误差和损耗误差相比SP...

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