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排序:
储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

输出功率为5 W且在60 ℃老化下寿命超过20000小时的GaN基蓝色激光二极管

GaN-based blue laser diodes with output power of 5 W and lifetime over 20 000 h aged at 60 ℃

Lei Hu1Siyi Huang1Zhi Liu1Tengfeng Duan1Si Wu1Dan Wang1Hui Yang2Jun Wang3Jianping Liu4 · 半导体学报 · 2025年4月 · Vol.46

1995年和1996年,在实现p型掺杂、材料质量提升及高亮度GaN基LED突破后,GaN基激光二极管(LDs)的受激辐射与激射现象相继被报道。然而,其实现高输出功率、高电光转换效率及长寿命经历了较长时间。直至2019年,日亚公司报道了具备上述性能的蓝光LDs,推动了GaN基蓝色激光二极管在多个领域的广泛应用。

解读: 该高功率长寿命GaN基蓝色激光二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。虽然研究聚焦激光二极管,但其GaN材料高温可靠性验证(60℃老化20000小时)和高功率密度设计理念可借鉴至功率电子领域。对于ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率器件应用,该研究揭示的材料稳定性机制和热管理方...

光伏发电技术 MPPT 光伏逆变器 组串式逆变器 ★ 5.0

半切光伏组件的局部遮荫损耗:实验、电路仿真与解析损耗函数

Partial Shading Losses in Half-Cut PV Modules: Experiments, Circuit Simulation, and an Analytical Loss Function

Jing-Wu Dong · Jyun-Guei Huang · Yu-Min Lin · Kuan-Wei Lee 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年12月 · Vol.16

本研究提出一种量化商用半切晶硅光伏组件局部遮荫损耗的集成方法,通过室内实验获取440W半切组件I-V数据,校准LTspice电路模型,并构建可解析预测遮荫功率损耗的函数,经实证拟合后精度高,适用于串联型半切组件系统设计与性能评估。

解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器(如SG系列)在复杂屋顶/山地场景下的MPPT算法优化与遮荫适应性提升。其解析损耗函数可嵌入iSolarCloud平台实现精细化发电量预测,并指导ST系列PCS在光储混合系统中对半切组件阵列的动态功率协调。建议将该模型集成至逆变器固件级阴影识别模块,增强多路MPPT...

电动汽车驱动 GaN器件 工商业光伏 ★ 5.0

一种基于氮化镓的低功耗高扇出能力混合逻辑电路

A GaN-Based Hybrid Logic Circuitry With Low Power Consumption and Enhanced Fan-Out Capability

Shaoyan Ma · Qimeng Jiang · Sen Huang · Xinhua Wang 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

提出了一种基于氮化镓(GaN)的混合逻辑电路结构,旨在缓解开关速度与静态功耗之间的权衡关系。该结构结合自举输出级与CMOS偏置级,在保持传统CMOS低静态功耗的同时显著提升驱动能力。基于商用p-GaN帽层GaN-on-Si平台制备了GaN n沟道与p沟道器件并提取模型。仿真结果表明,相较于传统CMOS电路,该混合逻辑电路具有更高的扇出能力、更强的电流输出能力、更快的转换速度和更小的芯片面积;在多级驱动电路中,传播延迟降低五倍而芯片面积未增加,为解决GaN p沟道器件低电流密度问题提供了有效途径,...

解读: 该GaN混合逻辑电路技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其低功耗高扇出特性可直接应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的栅极驱动电路,解决GaN器件高速开关控制难题。传播延迟降低五倍的优势可提升1500V高压系统的开关频率,减小磁性元件体积,提高功率密度。该混合逻辑架构为阳光电源车载OBC和电...

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