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拓扑与电路 多电平 功率模块 可靠性分析 ★ 3.0

基于IGCT的MMC极端故障综合分析与实验

Comprehensive Analysis and Experiment of Extreme Faults in MMC Based on IGCT

Wenpeng Zhou · Biao Zhao · Ruihang Bai · Yantao Lou 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

高压直流输电(HVDC-VSC)是大规模可再生能源并网的关键技术,模块化多电平换流器(MMC)是其中的主流拓扑。极端故障严重威胁MMC的安全可靠性。本文针对基于IGCT(集成门极换流晶闸管)的MMC系统,对其极端故障的成因及特性进行了深入的理论分析与实验验证。

解读: 虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)多采用IGBT/SiC器件,但该研究针对MMC拓扑及极端故障的分析方法,对公司未来布局高压大功率直流输电及大型储能系统具有重要的参考价值。IGCT在高压大容量场景下的应用特性分析,有助于研发团队在极端工况下提升系统保护策略的鲁...

功率器件技术 IGBT 功率模块 储能变流器PCS ★ 3.0

提升基于IGCT的高功率应用关断性能——第二部分:集成IGBT的混合开关与实验验证

Enhancing Turn-Off Performance in IGCT-Based High Power Applications—Part Ⅱ: Hybrid Switch With IGBT Integration and Experimental Validation

Lvyang Chen · Jiabin Wang · Xiangyu Zhang · Lin Wang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

集成门极换流晶闸管(IGCT)凭借低通态电压和高浪涌能力在高功率应用中极具潜力,但其电流控制特性限制了关断能力及故障电流处理能力。本文提出了一种集成IGBT的混合开关方案,通过实验验证了该方案在提升IGCT关断性能及系统故障处理能力方面的有效性。

解读: 该研究探讨了IGCT与IGBT混合开关技术,旨在解决高压大功率场景下的关断瓶颈。对于阳光电源而言,目前核心产品(如PowerTitan系列储能PCS及集中式光伏逆变器)主要基于IGBT或SiC模块。虽然IGCT目前在光储领域应用较少,但该混合开关技术为未来超大功率、高压直流(HVDC)及电网侧储能系...

功率器件技术 可靠性分析 功率模块 多物理场耦合 ★ 3.0

MMC-HVdc系统中IGCT极端失效的系统性分析与表征——第二部分:失效机理与短路特性

Systematic Analysis and Characterization of Extreme Failure for IGCT in MMC-HVdc System—Part II: Failure Mechanism and Short Circuit Characteristics

Wenpeng Zhou · Zhanqing Yu · Zhengyu Chen · Fanglin Chen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对模块化多电平换流器(MMC)高压直流输电系统中集成门极换流晶闸管(IGCT)的短路失效模式(SCFM)进行了研究。由于IGCT封装结构的限制,其短路失效机理难以直接观测。本文通过多物理场分析,揭示了IGCT在极端失效条件下的电流密度变化及短路特性,为高压电力电子器件的可靠性评估提供了理论依据。

解读: 虽然阳光电源目前的核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、充电桩)主要采用IGBT或SiC功率器件,而非IGCT,但该文献研究的极端工况下功率器件失效机理、多物理场耦合仿真方法以及短路特性分析,对于提升阳光电源大功率储能系统(如PowerTitan)和集中式逆变器中功率模块的可靠性设计具有重要的参考价值...

电动汽车驱动 ★ 4.0

解析高压集成门极换流晶闸管的开启电压平台

Decipher Turn-On Voltage Plateau of High-Voltage Integrated Gate Commutated Thyristors

Jinpeng Wu · Jianhong Pan · Chunpin Ren · Jiapeng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

高压集成门极换向晶闸管(IGCT,反向阻断型)是混合式电网换相换流器抵御换相失败的合适器件。在导通过程中,当电流上升率 $di/dt$ 高达千安每微秒时,会出现电压平台现象。为了解析这一现象的机理和潜在风险,本文聚焦于电压平台的微观过程及影响因素,发现注入空穴不足抑制了空间电荷区的放电过程,从而导致该现象的出现。此外,本文还阐明了其热稳定性和长期可靠性。本文在科学和技术层面均有助于高压 IGCT 器件的研发。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于高压集成门极换流晶闸管(IGCT)开通电压平台现象的研究具有重要的技术参考价值。IGCT作为一种高压大功率半导体器件,在我们的大功率光伏逆变器、储能变流器以及柔性直流输电系统中具有潜在应用前景。 该研究揭示了IGCT在高di/dt(kA/μs级)开通过程中出现电压...

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