Maykel Jiménez-Guerra · Ivan Caño · Alex Jiménez-Arguijo · Alejandro Navarro-Güell 等12人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.298

摘要 本文报道了一种创新的高压后沉积退火工艺，用于共蒸发制备的Sb2Se3吸收层，证实了该工艺在增强沿[00l]方向晶体学织构方面的有效性。该过程促进了沿c轴方向的择优生长，有利于载流子传输，并生成晶粒尺寸超过100 nm的高度结晶性薄膜。然而，尽管材料的结构性能得到改善，光伏性能仍受限于界面质量。为解决这一问题，我们采用了UV-O3和KCN刻蚀处理，显著改善了Sb2Se3/CdS界面，使光电转换效率提升至最高5.8%。XPS、UPS和接触角测量结果证实，这些处理方法能够选择性地修饰界面，而不改...

解读: 该Sb2Se3薄膜太阳能电池的高压退火与界面工程技术对阳光电源SG系列光伏逆变器及组件集成具有启发意义。研究中的高压后处理提升晶体取向和载流子传输效率,可借鉴于光伏系统MPPT优化算法改进;界面工程通过UV-O3和KCN处理提升转换效率至5.8%的思路,与阳光电源在SiC/GaN功率器件界面优化、三...