找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种用于基于两级PET的多端口电动汽车充电站的多桥串联谐振变换器调制方案
A Modulation Scheme for Multibridge Series Resonant Converter in Two-Stage PET-Based Multiport EV Charging Station With Wide Range ZVS, Minimum Reactive Power and Power Decoupling
Sizhao Lu · Zhicheng Fan · Enguo Rong · Siqi Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文提出了一种针对两级电力电子变压器（PET）架构下多端口电动汽车充电站的调制方案。该方案通过多桥串联谐振变换器，实现了宽范围的零电压开关（ZVS）、最小化无功功率以及功率解耦控制，显著提升了充电系统的效率、功率密度及控制灵活性。
解读: 该研究聚焦于高效率、高功率密度的多端口变换技术，与阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统业务高度契合。PET架构在直流快充站中具有广阔应用前景，其提出的功率解耦和宽范围ZVS调制策略，可直接优化阳光电源充电桩模块的转换效率，并为未来光储充一体化系统中的多端口能量管理提供技术参考。建议研发团队关注该拓扑在...
基于不同钝化介质的p-GaN栅HEMT电流崩塌机制研究
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
Xiangdong Li · Niels Posthuma · Benoit Bakeroot · Hu Liang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文研究了不同钝化介质（AlON和SiN）对p-GaN栅HEMT在关断状态应力下动态导通电阻（Ron）退化的影响。研究发现，退化机制主要源于阈值电压（VTH）漂移和栅漏接入区的表面陷阱效应，并成功区分了两者影响。实验证明SiN钝化层下的表面陷阱效应显著。
解读: GaN器件作为下一代功率半导体，在阳光电源的高功率密度户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有极高的应用潜力。本文深入探讨了不同钝化工艺对p-GaN栅HEMT可靠性（电流崩塌）的影响，为公司在选型宽禁带半导体器件及优化驱动电路设计时提供了关键的理论依据。建议研发团队在评估GaN功率模块时，重点关注钝化...
一种用于高抗偏移能力和恒压输出的四正交双水平电容耦合器混合CPT系统
A Hybrid CPT System Using Quadrature Double Horizontal Capacitive Couplers for High-Misalignment Tolerance and Constant Voltage Output
Ting Chen · Zhihui Ma · Zhicheng Xu · Fengxian Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
针对电容式电能传输（CPT）系统中因气隙变化和偏移导致的耦合波动问题，本文提出了一种采用正交双水平电容耦合器的混合CPT系统。该系统通过特殊的耦合结构设计，实现了高抗偏移能力和恒定电压（CV）输出，有效提升了系统的传输稳定性和效率。
解读: 该技术属于无线电能传输（WPT）领域，目前阳光电源的电动汽车充电桩业务主要集中在有线充电解决方案。虽然CPT技术在未来电动汽车无线充电或小型化设备供电中具有潜力，但考虑到当前技术成熟度、传输功率限制及成本，该技术短期内对阳光电源核心产品线（光伏逆变器、储能系统、有线充电桩）的直接应用价值有限。建议研...