找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
考虑栅漏电容非线性的SiC MOSFET串扰峰值预测算法
A Predictive Algorithm for Crosstalk Peaks of SiC MOSFET by Considering the Nonlinearity of Gate-Drain Capacitance
Hong Li · Yanfeng Jiang · Zhidong Qiu · Yuting Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种精确预测SiC MOSFET串扰峰值的算法，该算法首次考虑了栅漏电容（Cgd）的非线性特性。通过对Cgd微分表达式的分析，该方法能更准确地指导SiC MOSFET驱动电路与保护电路的设计，有效提升电力电子系统的可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，串扰问题成为影响系统可靠性的关键挑战。该算法通过精确建模Cgd非线性，能够优化驱动电路设计，减少误导通风险，从而提升阳光电源核心功率模块的抗干扰能力。建议研发团队将其集成至驱...
考虑逆变器畸变与饱和的内置式永磁同步电机
IPMSM）最大转矩电流比
Zhe Tong · Fengyu Wang · Yuting Lu · Beichen Ding 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月
针对内置式永磁同步电机（IPMSM），磁饱和、逆变器非线性畸变及温度变化会影响MTPA控制精度。本文提出一种基于小直流位置偏移注入的快速准确MTPA角跟踪方法，通过注入位置偏移量优化目标函数模型，有效提升了电机控制的鲁棒性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及风电变流器业务具有重要参考价值。在充电桩功率模块及风电变流器中，电机驱动控制的效率与动态响应至关重要。该文提出的MTPA角跟踪方法能有效补偿逆变器非线性畸变，提升系统在宽负载范围下的运行效率。建议研发团队将其应用于高性能电机驱动控制算法的优化中，特别是在应对磁饱和效...