找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 PFC整流 多电平 功率模块 ★ 4.0

一种基于全二叉树结构的新型可扩展多电平PFC整流器

A Novel Scalable Multilevel PFC Rectifier Based on Full Binary-Tree Structure

Hui Ma · Yutian Li · Kun Xiang · Liping Fan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文提出了一种基于全二叉树结构的新型可扩展多电平功率因数校正(PFC)整流器拓扑(MT-FBT)。通过引入新型钳位单元,MT-FBT利用根节点的二分法及分支节点扩展构建多电平网络,从而在不增加复杂性的前提下实现更多电压电平,有效提升了功率变换效率与电能质量。

解读: 该拓扑结构在提升功率密度和电能质量方面具有显著优势,对阳光电源的组串式逆变器及大功率储能变流器(如PowerTitan系列)具有参考价值。其可扩展的二叉树架构有助于简化高压大功率变换器的设计,降低谐波含量。建议研发团队评估该拓扑在提升系统效率及降低无源器件体积方面的潜力,特别是在高压直流输入场景下,...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 3.0

电磁脉冲诱导的GaN HEMT功率放大器失效分析

Electromagnetic Pulse Induced Failure Analysis of GaN HEMT Based Power Amplifier

Lei Wang · Changchun Chai · Tian-Long Zhao · Feng Wei 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文揭示了基于商用GaN HEMT的功率放大器(PA)模块在注入高功率电磁脉冲(EMP)后的性能退化及物理失效机制。通过系统性的阶梯脉冲注入实验,监测S参数等关键指标,确定了PA模块的退化与失效阈值。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用潜力巨大。本文探讨的电磁脉冲(EMP)诱导失效机制,对提升公司功率模块在复杂电磁环境下的鲁棒性具有参考价值。建议研发团队关注宽禁带半导体在极端环境下的可靠性边界,优化驱动电路的抗干扰设计,以确保在iSolarCloud...