找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种用于四电平π型逆变器死区效应消除的双调制波准虚拟DPWM
A Double-Modulation-Wave Quasi-Virtual DPWM for Dead-Time-Effect Elimination in Four-Level π-Type Inverters
Qingzeng Yan · Yanyan Qin · Hailiang Xu · Xibo Yuan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
针对四电平π型逆变器中直流侧电压不平衡及死区效应问题，本文提出了一种新型双调制波准虚拟DPWM策略。该方法有效解决了现有死区补偿策略难以与直流侧电压平衡控制兼容的难题，提升了逆变器的输出波形质量与系统运行稳定性。
解读: 该研究针对四电平π型拓扑的控制优化，对阳光电源的高功率密度组串式逆变器及大型集中式逆变器具有重要参考价值。随着光伏系统向更高电压等级和更高效率演进，多电平拓扑的应用日益广泛。该文提出的死区补偿与电压平衡协同控制策略，有助于提升阳光电源逆变器在全功率范围内的谐波性能和转换效率。建议研发团队评估该调制策...
基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该...
一种可变(n/m)X开关电容DC-DC变换器
A Variable (n/m)X Switched Capacitor DC–DC Converter
Deepak Gunasekaran · Liang Qin · Ujjwal Karki · Yuan Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月
高增益、高效率且高功率密度的双向DC-DC变换器是逆变系统中的关键需求。本文提出了一种基于Dickson变换器变体的开关电容电路。该拓扑具备模块化设计、无需外部磁性元件以及高效率等优势，非常适合集成到各类电力电子变换系统中。
解读: 该开关电容变换器拓扑在提升功率密度和简化磁性元件设计方面具有显著优势，对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及户用储能PCS产品线具有重要参考价值。通过消除或减少电感等磁性元件，可有效降低储能变流器的体积与重量，提升系统集成度。建议研发团队评估该拓扑在低压侧升压环节的应...