找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该...
用于高功率感应电能传输系统的混合纳米晶带芯与片状带芯
Hybrid Nanocrystalline Ribbon Core and Flake Ribbon For High-Power Inductive Power Transfer Applications
Yibo Wang · C. Q. Jiang · Chen Chen · Tianlu Ma 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
本文研究了一种用于13kW高功率感应电能传输系统的混合磁芯结构。针对传统纳米晶带芯因磁通密度集中于边缘导致的过大边缘损耗及侧壁涡流损耗问题，该研究通过结合新型纳米晶带芯与片状带芯，有效优化了磁性能，为高功率电力电子设备的磁性元件设计提供了改进方案。
解读: 该研究关注磁性元件的损耗优化与高功率密度设计，对阳光电源的电力电子产品研发具有参考价值。虽然感应电能传输（IPT）目前非公司核心业务，但其核心技术——磁性材料的损耗抑制与有限元仿真分析，可直接迁移至公司光伏逆变器（如组串式逆变器中的电感设计）及电动汽车充电桩的功率模块优化中。建议研发团队关注该混合磁...