找到 1 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种基于栅极电流检测的SiC MOSFET超快通用短路保护技术
An Ultrafast Universal Short-Circuit Protection Technique Based on Gate Current Detection for SiC MOSFET
Zipeng Ke · Jun Wang · Bo Hu · Xuanting Song 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
针对SiC MOSFET短路故障,本文提出了一种基于栅极电流检测的超快通用短路保护方法。该方法利用短路发生时栅极电流的特征变化,实现对故障的快速响应,显著提升了功率器件在极端工况下的可靠性。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC MOSFET的应用日益广泛。该技术通过栅极电流检测实现超快短路保护,能有效解决SiC器件短路耐受时间短的痛点,提升系统在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队在下一代高频功率模块驱动电...