找到 7 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
用于SiC功率MOSFET的低压GaN HEMT栅极驱动器设计以降低开关损耗及提供栅极保护
Gate Driver Design for SiC Power MOSFETs With a Low-Voltage GaN HEMT for Switching Loss Reduction and Gate Protection
Ji Shu · Jiahui Sun · Zheyang Zheng · Kevin J. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文针对SiC MOSFET栅极回路寄生电感引起的误导通、栅极过压及开关速度受限等问题，提出了一种采用低压GaN HEMT进行米勒钳位的单极性栅极驱动电路设计，旨在优化开关性能并增强栅极保护能力。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，栅极驱动电路的可靠性与开关性能至关重要。该研究提出的GaN HEMT米勒钳位技术，能有效抑制SiC器件在高频开关下的误导通风险，并优化开关损耗。建议研发团队在下一代高功率...
基于集成学习和电压重构的锂离子电池健康状态估计
Ensemble Learning and Voltage Reconstruction Based State of Health Estimation for Lithium-Ion Batteries With Twenty Random Samplings
Xing Shu · Zheng Chen · Jiangwei Shen · Shiquan Shen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
针对电动交通工具中锂离子电池随机充放电行为导致的健康状态（SOH）估计精度下降问题，本文提出了一种基于集成学习和电压重构的SOH估计框架。该方法通过处理随机采样数据，有效提升了在线SOH估计的准确性与鲁棒性。
解读: 该技术对阳光电源的储能业务（PowerTitan、PowerStack及户用储能）具有极高价值。目前储能系统在实际运行中面临工况复杂、数据碎片化等挑战，该集成学习框架可深度集成至iSolarCloud智能运维平台及BMS算法中，通过电压重构技术提升电池全生命周期SOH监测精度。这不仅能优化电池资产的...
在不影响开关性能的前提下保护GaN/SiC共源共栅器件中的SiC JFET免受栅极过应力
Protecting SiC JFET From Gate Overstress in GaN/SiC Cascode Device Without Compromising Switching Performance
Ji Shu · Jiahui Sun · Zheyang Zheng · Kevin J. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
GaN/SiC共源共栅器件结合了GaN HEMT的快速开关特性与SiC JFET的高压雪崩能力。然而，LV GaN HEMT缺乏雪崩能力，导致共源共栅结构在瞬态下易受栅极过应力影响。本文提出了一种保护方案，在不牺牲开关性能的前提下，有效提升了该复合器件的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着公司向更高效率、更高功率密度的产品迭代，GaN/SiC共源共栅器件是实现高频化设计的关键路径。该研究提出的栅极保护方案能有效解决宽禁带半导体在极端工况下的可靠性瓶颈，有助于提升PowerTitan等储能系统及组串式逆变器在复杂...
通过低压GaN HEMT级联配置改善Si SJ-MOSFET的反向恢复性能
Improving the Reverse-Recovery Performance of Si SJ-MOSFETs With a Low-Voltage GaN HEMT in a Cascode Configuration
Ji Shu · Jiahui Sun · Zheyang Zheng · Kevin J. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
Si超结（SJ）MOSFET体二极管的高反向恢复电荷（Qrr）会导致开关损耗增加甚至动态雪崩失效。本文提出了一种将高压Si SJ-MOSFET与低压GaN HEMT相结合的GaN/Si-SJ级联结构。得益于GaN HEMT的引入，该结构在中等电流下实现了零反向恢复电荷，显著提升了开关性能。
解读: 该技术对于阳光电源的功率变换产品具有重要参考价值。在组串式光伏逆变器和储能变流器（PCS）中，Si SJ-MOSFET常作为核心开关器件，其反向恢复损耗是提升效率的瓶颈。通过GaN/Si-SJ级联技术，可以在不完全放弃Si器件成本优势的前提下，显著降低开关损耗并提升可靠性。建议研发团队在下一代高功率...
基于双馈感应发电机
DFIG）的风电场移频阻抗模型及其在次/超同步振荡
Fan Shi · Dewu Shu · Zheng Yan · Zhao Song · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
针对双馈风电场与大电网交互引发的次/超同步振荡（S$^2$SI）稳定性问题，本文提出了新的时域和相量域次/超同步阻抗模型（S$^2$SIM），旨在填补现有分析方法的空白，为风电并网系统的稳定性评估提供理论支撑。
解读: 该研究针对风电并网中的次/超同步振荡问题，对阳光电源的风电变流器产品线具有重要的指导意义。随着风电接入比例提升，弱电网下的稳定性挑战加剧，该阻抗建模方法可用于优化变流器控制策略，提升设备在复杂电网环境下的抗扰动能力。建议研发团队将此阻抗模型集成至仿真平台，用于风电变流器控制参数的整定与优化，从而降低...
一种用于频移相量直流电网模型与电磁暂态交流电网模型的综合多域联合仿真方法
A Multi-Domain Co-Simulation Method for Comprehensive Shifted-Frequency Phasor DC-Grid Models and EMT AC-Grid Models
Dewu Shu · Xiaorong Xie · Zheng Yan · Venkata Dinavahi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
为精确捕捉大规模交直流系统整体动态及其组件间交互，本文提出一种高精度、高效率的多域联合仿真方法。该方法将目标系统划分为多个直流与交流子系统，分别采用频移相量模型与电磁暂态（EMT）模型进行建模，有效平衡了计算效率与仿真精度，适用于复杂电力电子系统的动态分析。
解读: 该仿真方法对阳光电源的PowerTitan储能系统及大型光伏电站并网具有重要价值。随着高比例电力电子设备接入，电网交互日益复杂，传统的EMT仿真计算量巨大。该方法能显著提升阳光电源在大型交直流混合微电网、构网型（GFM）逆变器并网稳定性分析中的仿真效率。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智...
一种快速瞬态抗辐射LDO与闭锁限流器
A Fast-Transient Radiation-Lolerant LDO-cum-Latching Current Limiter
Zixian Zheng · Wei Shu · Joseph S. Chang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
本文提出了一种基于CMOS工艺实现的快速瞬态抗辐射低压差线性稳压器（LDO）与闭锁限流器（LCL）集成电路。该电路旨在解决卫星电源管理系统中的负载电流异常检测与保护问题，适用于6G卫星通信等高可靠性应用场景，通过CMOS工艺实现了优异的抗辐射性能与瞬态响应速度。
解读: 该文献聚焦于高可靠性、抗辐射的电源管理芯片设计，主要应用于航空航天领域。虽然阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能系统、充电桩）主要面向地面及工商业应用，对极端抗辐射需求较少，但其提出的“快速瞬态响应”与“集成化限流保护”技术思路，对提升阳光电源iSolarCloud智能运维平台中关键控制芯片的鲁棒性...