找到 4 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

View Document · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文试图揭示一种用于高频光探测与测距(LiDAR)应用中控制激光源的高效激光驱动器。具体的激光雷达要求包括20 MHz的激光重复频率、10 ns的脉冲持续时间以及50 W的瞬时功率。用于自动驾驶车辆的激光雷达的功率效率至关重要,其总输入功率应控制在15 W以内。为提高功率效率,本文提出了一种半桥脉冲激光驱动器,其高端采用耗尽型氮化镓(D 型 GaN)晶体管,低端采用增强型(E 型)GaN 晶体管。此外,还针对 D 型 GaN 晶体管引入并分析了一种高端栅极驱动器,由于不存在体二极管效应,该驱动器...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的互补型GaN HEMT高频脉冲驱动技术具有重要的参考价值和技术延伸意义。虽然研究聚焦于激光雷达应用,但其核心技术路径与我司在高频功率变换领域的技术需求高度契合。 该技术的关键创新在于采用耗尽型GaN(D-mode)与增强型GaN(E-mode)构成的半桥拓扑,...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

用于脉冲和甚高频电力电子的具有可变占空比的隔离式超快栅极驱动器

Isolated Ultrafast Gate Driver with Variable Duty Cycle for Pulse and VHF Power Electronics

Xin Zan · Al-Thaddeus Avestruz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

本文介绍了一种隔离式超快栅极驱动器,专为激光雷达、空间系统及超快器件测试等甚高频(VHF)应用设计。该驱动器实现了超过12 GV/s的栅极电压转换速率,上升和下降时间均低于260 ps,为高频电力电子系统的性能提升提供了关键技术支持。

解读: 该技术主要针对超高频(VHF)应用,虽然目前阳光电源的主流光伏逆变器和储能PCS产品多工作在数十kHz量级,但该驱动器所展示的超快开关特性(<260 ps)对于下一代宽禁带半导体(如GaN)在高频化、小型化趋势下的应用具有前瞻性参考价值。建议研发团队关注其在高性能辅助电源或特定高频测试平台中的应用,...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

一种用于激光雷达发射器、具有陡峭驱动电流的单片GaN激光二极管驱动器

A Monolithic GaN Laser Diode Driver With Steep-Edge Driving Current for LiDAR Transmitters Using a 3× Self-Circulating Charge Pump

Chun-wang Zhuang · Xin Ming · Yao Qin · Lin-min Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

直接飞行时间(ToF)激光雷达广泛应用于三维传感。为实现高分辨率和长距离探测,需高峰值功率的窄光脉冲,这对激光二极管驱动器(LDD)提出了严苛要求。单片GaN集成技术因能最小化栅极驱动回路寄生参数,成为LDD设计的理想选择。

解读: 该文献探讨了基于GaN工艺的单片集成驱动技术,主要应用于激光雷达(LiDAR)领域。虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及充电桩,与激光雷达直接应用场景重合度较低,但该技术在宽禁带半导体(GaN)的高频驱动与集成化设计方面的研究,对公司未来在功率模块小型化、高频化以及下一代电动汽车充...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

Ching-Yao Liu · Chun-Hsiung Lin · Hao-Chung Kuo · Li-Chuan Tang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

本文提出了一种用于高频激光雷达(LiDAR)的高效激光驱动器,旨在满足20MHz重复频率、10ns脉宽及50W瞬时功率的严苛要求。针对自动驾驶领域对高功率效率的需求,该驱动器通过互补型GaN HEMT技术优化了开关性能,显著提升了系统整体能效。

解读: 该文献探讨了GaN器件在高频脉冲应用中的性能优势。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器和储能系统,但随着电力电子技术向高频化、高功率密度方向演进,GaN等宽禁带半导体在辅助电源、高频驱动电路及未来小型化储能控制模块中具有应用潜力。建议研发团队关注GaN器件在高频开关下的损耗特性与可靠性评估,这有助...