找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 多电平 并网逆变器 储能变流器PCS ★ 4.0

基于平方和规划的级联H桥STATCOM直流母线电容设计

DC-Link Capacitance Design for Cascaded H-Bridge STATCOM With Sum of Squares Formulation

Hengyi Wang · Junyi Zhang · Xingxiao Xia · Fei Gao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文提出了一种用于静止同步补偿器(STATCOM)的三角形连接级联H桥(CHB)通用电容选型方法。该方法考虑了电容在电容性、电感性和谐波模式下的运行需求,并综合了电能质量、峰值及峰峰值电压限制。通过将三角函数转换为正切函数,实现了对电容电压限制的精确建模与优化。

解读: 该研究涉及的多电平拓扑与电容优化设计,对阳光电源的大功率储能系统(如PowerTitan系列)及大型集中式光伏逆变器具有重要参考价值。在STATCOM及大功率PCS应用中,直流母线电容的精确选型直接影响系统的体积、成本及寿命。该文提出的平方和(SOS)优化方法可辅助研发团队在满足电能质量指标的前提下...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

碳化硅JFET双向开关寄生振荡的分析与建模

Analysis and Modeling of SiC JFET Bi-Directional Switches Parasitic Oscillation

Lina Wang · Junyi Yang · Haobo Ma · Zeyuan Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

基于碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的双向开关在矩阵变换器、多电平变换器及固态断路器等电力电子电路中应用潜力巨大。然而,其寄生振荡现象直接影响电路的稳定性和可靠性。本文针对该寄生振荡进行建模与分析,旨在为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。

解读: SiC器件是提升阳光电源逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该研究针对SiC JFET双向开关的寄生振荡建模,对公司开发高频、高效率的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器具有重要参考价值。通过掌握寄生振荡机理,研发团队可优化驱动电路设计与PCB布局,从而降低电磁干扰(EMI),提...