找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
SiC MOSFET非对称开关特性分析
On the Analysis of Asymmetrical Switching of SiC MOSFETs
Yeonju Lee · Hyemin Kang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文深入探讨了碳化硅（SiC）MOSFET的动态特性，特别是开关行为及其非对称性。通过分析开关非对称性的根本原因与物理机制，旨在提升功率变换系统的稳定性，并为实现更精确的开关控制提供理论依据。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器实现高功率密度与高效率的核心器件。开关非对称性直接影响功率模块的损耗分布、电磁干扰（EMI）及驱动电路设计。深入理解该机制有助于优化阳光电源产品的驱动电路参数，提升高频化设计下的系统可靠性，并降低功率模块在极端工况下...
超结MOSFET栅极振荡的真正起源：器件视角
True Origin of Gate Ringing in Superjunction MOSFETs: Device View
Hyemin Kang · Florin Udrea · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
随着超结器件尺寸缩小，动态开关过程中的栅极振荡问题日益突出。由于传统三端测量法无法捕捉器件内部电荷重新分配等动态行为，该研究深入分析了超结MOSFET栅极振荡的物理起源，为优化高频开关性能提供了器件层面的理论支撑。
解读: 栅极振荡是影响阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）高频开关性能与电磁兼容性（EMC）的关键因素。该研究揭示的器件内部动态机理，有助于研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中，更精准地抑制寄生振荡，从而提升逆变器在高频化趋势下的效率与可靠性。建议在下一代高功率密度产品设计中，结...