Matthias Kasper · Ralph Burkat · Ferald Deboy · Johann Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

本文针对高效率、高功率密度变换器对零电压开关（ZVS）的需求，指出判断ZVS实现的关键在于考虑MOSFET内部存储电荷。文中提出了LI²≥2Qoss的判定条件，并分析了软开关不完全时的损耗情况，为功率变换器的设计提供了理论依据。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及DC-DC变换模块）的效率提升与功率密度优化。随着SiC等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用，准确评估Qoss对实现ZVS至关重要。建议研发团队在设计高频DC-DC变换级（如储能PCS的升压电路）时，严格遵循LI²≥...