找到 3 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
高功率X波段单片GaAs p-i-n平衡限幅器
High Power X-Band Monolithic GaAs p-i-n Balanced Limiter
Shifeng Li · Leiyang Wang · Bang Wu · Dingyi Guo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
本文介绍了一种采用GaAs p-i-n技术制造的40W X波段单片平衡限幅器，尺寸为2.5mm×2.0mm。为提升功率处理能力，研究采用了圆角矩形p-i-n二极管、加宽交叉线的Lange耦合器、优化厚度的I层以及优化的隔离终端电阻等设计。
解读: 该文章研究的GaAs p-i-n器件主要应用于高频射频（RF）领域，与阳光电源目前核心的光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等电力电子功率变换业务关联度较低。虽然该研究涉及功率器件的散热优化与高功率密度设计思路，对电力电子器件的可靠性设计有一定参考价值，但GaAs材料在工业级电力变换领域应用受限。建议...
一种利用非同源谐振线圈消除无线电能传输中频率分裂的方法
A Method of Using Nonidentical Resonant Coils for Frequency Splitting Elimination in Wireless Power Transfer
Yue-Long Lyu · Fan-Yi Meng · Guo-Hui Yang · Bang-Jun Che 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年11月
本文提出了一种消除磁耦合谐振式无线电能传输中频率分裂现象的高效方法。通过采用两个非同源谐振线圈（NIRCs）分别作为发射端和接收端，利用互感函数解析表达式中的椭圆积分项，有效抑制了频率分裂，提升了传输效率与稳定性。
解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然目前阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及有线充电桩，但无线充电技术是电动汽车充电桩未来的潜在演进方向。通过非同源谐振线圈消除频率分裂，有助于提升无线充电系统的功率传输效率和抗偏移能力。建议研发团队关注该技术在未来高功率密度、高效率无线充电桩产品...
关于“高功率X波段单片GaAs PIN平衡限幅器”的更正
Corrections to “High Power X-band Monolithic GaAs PIN Balanced Limiter” [Apr 23 4623-4631]
Shifeng Li · Leiyang Wang · Bang Wu · Dingyi Guo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文是对IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques发表的关于高功率X波段单片GaAs PIN平衡限幅器论文的勘误说明。
解读: 该文献属于射频微波器件领域，主要针对GaAs（砷化镓）PIN二极管在X波段高功率限幅电路中的应用，与阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能系统、风电变流器等电力电子变换技术）关联度极低。阳光电源目前的功率器件选型主要集中在Si基IGBT、SiC MOSFET及GaN器件，用于电力电子功率变换。该文献涉...