找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于电压开关瞬态指纹的SiC功率MOSFET栅氧化层退化在线监测建模与分析

Modeling and Analysis of Monitoring Gate-Oxide Degradation of SiC Power MOSFETs in Circuit by the Fingerprints of Voltage Switching Transient

Y. Q. Chen · B. Hou · Y. H. Lin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文研究了基于电压开关瞬态指纹的SiC MOSFET栅氧化层退化监测原理与方法。建立了与SiC MOSFET氧化层陷阱相关的开通过程电压切换速率模型,并据此提出了相应的监测方法,为功率器件的健康状态评估提供了理论支撑。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率,器件的长期可靠性成为关键挑战。该研究提出的基于开关瞬态指纹的在线监测方法,可集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器/PCS的控制固件中,实现对SiC器件...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

双有源桥变换器的时域周期稳态分析模型

A Periodic-Steady-State Analysis Model in Time Domain for Dual Active Bridge Converter

Di Mou · Quanming Luo · Yuqi Wei · Jia Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文提出了一种针对双有源桥(DAB)变换器的多时间尺度建模方法。通过结合理想稳态过程与有限开关瞬态过程,提高了分析的准确性。文章推导了五自由度调制DAB变换器在所有运行模式下的状态方程,为优化变换器性能提供了理论支撑。

解读: DAB变换器是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及直流耦合光储一体化方案中的核心DC-DC拓扑。该文献提出的高精度时域建模方法,能够更准确地捕捉开关瞬态过程,有助于优化PCS的软开关控制策略,提升变换效率并降低损耗。建议研发团队将其应用于PCS的损耗分析与控制算法改...