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拓扑与电路 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

基于碳化硅的两电平分相逆变器驱动电机反射波现象研究

Investigation of Reflected Wave Phenomenon in SiC-Based Two-Level Split-Phase Inverter-Fed Motor Drives

Abdul Basit Mirza · Kushan Choksi · Sama Salehi Vala · Ali Anwar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

碳化硅(SiC)器件的高开关速度加剧了两电平电压源逆变器驱动系统中的反射波现象(RWP),导致电机侧过压和驱动侧过流。本文研究的两电平分相(2L-SP)拓扑通过分相电感降低了输出dv/dt,在缓解反射波现象方面展现出应用前景。

解读: 该研究关注SiC器件在电机驱动应用中的高dv/dt问题及反射波抑制,这对阳光电源的工业驱动及电动汽车充电桩业务具有参考意义。随着公司在储能PCS及光伏逆变器中大规模应用SiC器件,如何平衡高开关频率带来的效率提升与电磁兼容(EMC)、电机绝缘寿命(反射波抑制)之间的矛盾至关重要。建议研发团队关注该分...