找到 2 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 功率模块 ★ 4.0

基于磁场测量的功率模块键合线脱落在线状态监测

Online Condition Monitoring of Bonding Wires Lift-Off in Power Modules Based on Magnetic Field Measurement

Weili Guo · Guochun Xiao · Laili Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

摘要:近年来,引线键合型功率模块是应用最为广泛的功率半导体模块封装形式之一,而键合线是这类模块中最薄弱的环节之一。在功率循环和温度波动的长期作用下,应力和应变会使键合线容易出现裂纹,最终导致断裂或脱焊,从而影响功率模块的可靠性。因此,监测功率模块的健康状态至关重要。本文提出了一种利用单轴磁场传感器实时监测键合线脱焊的方法。文章首先对功率模块键合线附近的磁场进行了分析,指出键合线脱焊时磁场会发生变化。其次,采用有限元方法对磁场进行仿真,确定了键合线脱焊时磁场变化率最大的区域,并将磁场传感器放置在该...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于磁场测量的功率模块键合线脱落在线监测技术具有重要的应用价值。功率半导体模块是光伏逆变器和储能变流器的核心器件,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行。键合线作为模块内部最薄弱的环节,在功率循环和温度波动下容易发生疲劳失效,这是导致逆变器现场故障的主要原因之一。 该技术...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

栅极电压凹陷作为碳化硅MOSFET在线健康监测的新指标

Gate Voltage Dip as a New Indicator for Online Health Monitoring of SiC MOSFETs

Mathis Picot-Digoix · Frédéric Richardeau · Jean-Marc Blaquière · Sébastien Vinnac 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

由于碳化硅/二氧化硅界面质量不佳以及其栅氧化层较薄,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)比硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)更易受电荷俘获机制的影响。随着时间的推移,这些现象会加剧,导致晶体管性能下降和损耗增加。为了监测这种老化机制,本文提出了一种模拟方法,用于从栅极电压($V_{GS}$)波形中提取一个新发现的健康指标。这是通过使用双通道有源栅极驱动器减缓特定的导通过程来实现的。随后,该在线健康监测方法在一台1200 V - 36 A的碳化硅金属氧化物半...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于栅极电压监测的SiC MOSFET在线健康管理技术具有重要的战略价值。作为光伏逆变器和储能系统的核心功率器件,SiC MOSFET的可靠性直接影响系统的整体性能和生命周期成本。 该技术针对SiC器件固有的电荷俘获机制导致的性能退化问题,提出了创新的模拟监测方法。通...