找到 43 条结果 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

排序:
储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

从有源电阻到无损与虚拟电阻:综述、见解及其在能源电网中的广泛应用

From Active Resistor to Lossless and Virtual Resistors: A Review, Insights, and Broader Applications to Energy Grids

Jinli Zhu · Yuan Li · Fang Z. Peng · Brad Lehman 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

电力系统,包括多电/全电船舶与飞机及电网,主要由发电、输配电和储能子系统构成,呈现显著的电感与电容特性。为提高效率,实际电路尽量减少物理电阻,但由此引发谐振、不稳定与长时暂态等问题。自1980年代起,电力电子变换器/逆变器被提出作为有源、无损及虚拟电阻,用于抑制上述动态问题。本文系统回顾从有源电阻到虚拟电阻的发展历程,深入分析其理论关联与物理本质,探讨实现约束,并展望其在现代能源电网中的扩展应用与革新潜力。

解读: 该虚拟电阻技术对阳光电源储能与逆变器产品具有重要应用价值。在PowerTitan储能系统中,可通过ST系列变流器实现虚拟电阻控制,有效抑制LC滤波器谐振和直流母线振荡,提升系统稳定性。对于构网型GFM控制策略,虚拟电阻可优化暂态响应,减少功率振荡。在SG系列光伏逆变器的1500V高压系统中,该技术能...

储能系统技术 储能系统 模型预测控制MPC 户用光伏 ★ 5.0

一种无变压器软开关多端口集成变换器及其漏电流抑制方法

A Transformerless Soft-Switching Multiport Integrated Converter With Leakage Current Suppression for Residential Energy Management

Lu Zhou · Yihan Gao · Minghan Dong · Xin Zhang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年6月

本文提出了一种无变压器、无漏电流的软开关多端口集成变换器(SSIMPC),用于家庭光伏、储能、直流母线及交流电网端口的集成。光伏端口工作于连续电流模式,实现低输入电流纹波与可再生能源高效利用;储能端口作为能量缓冲并支持软开关灵活控制。采用间接占空比解耦调制策略,无需额外无源器件即可实现多路零电压开关与电感复用。共地结构有效抑制漏电流并提升安全性。该拓扑支持多种功率组合的能量管理,适用于综合性家庭能源系统。实验样机验证了理论分析与拓扑可行性。

解读: 该无变压器软开关多端口集成变换器技术对阳光电源户用储能产品线具有重要应用价值。其共地结构漏电流抑制方案可直接应用于SG系列户用光储一体机,提升系统安全性并简化接地设计。间接占空比解耦调制实现的多路ZVS技术,可优化ST系列储能变流器中PV-Battery-Grid三端口协同控制,降低开关损耗10-1...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

平面型与沟槽型SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复特性的综合研究

Comprehensive Investigations on Recovery Characteristics of Bias Temperature Instability in Planar and Trench SiC MOSFETs

Kaiwei Li · Pengju Sun · Xinghao Zhou · Lan Chen 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月

栅氧退化引起的偏置温度不稳定性(BTI)是碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)最关键的可靠性问题之一。现有BTI恢复研究尚不够全面。本文系统研究了平面型与沟槽型SiC MOSFET中直流与交流BTI的恢复特性。结果表明,无论器件栅结构如何,短路应力均可实现BTI的有效恢复,且短路能量越大,恢复能力越强。但过强的短路应力更易在平面栅器件中引发额外阈值电压漂移。进一步比较短路应力与负栅压加高温两种恢复方式后的阈值电压再漂移,发现短路应力具有更优的恢复效果。该结果对抑制阈值...

解读: 该研究揭示的SiC MOSFET偏置温度不稳定性恢复机制对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究发现短路应力可有效恢复BTI引起的阈值电压漂移,且恢复效果优于负栅压加高温方式,这为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的可靠性设计提供了新思路。针对平面栅器件在强短路应力下易产生额外漂移的...

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