找到 4 条结果 · 系统并网技术

排序:
系统并网技术 并网逆变器 弱电网并网 ★ 5.0

基于阻抗失稳区域消除的并网逆变器稳定性增强控制

The Grid-Connected Inverter Stability Enhancement Control Based on Impedance Instability Region Elimination

Zhengqi Sui · Qiuye Sun · Rui Wang · Dashuang Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

弱电网和高锁相环(PLL)带宽容易导致并网逆变器(GCI)系统出现不稳定问题。现有方法主要通过增大并网逆变器输出阻抗的幅值和相位来增强系统稳定性,但无法完全消除并网逆变器的“负阻抗”行为,这意味着系统仍存在不稳定风险。因此,本文旨在提出一种更通用的稳定性分析方法,揭示负阻抗下的不稳定条件,为稳定性分析和控制策略设计提供新的思路。首先,本文考虑了并网逆变器不稳定时呈现的宽频振荡特性,提出了一种新的稳定性分析方法。该方法指出,系统不稳定是由基波电压和非基波电压之间的相互作用引起的。这种相互作用会加剧...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于阻抗不稳定区域消除的并网逆变器稳定性增强技术具有重要的战略价值。当前,随着全球光伏和储能系统大规模接入弱电网场景日益增多,逆变器的并网稳定性已成为制约新能源渗透率提升的关键技术瓶颈。该论文提出的方法直击行业痛点,对阳光电源的产品竞争力提升具有显著意义。 该技术的核...

系统并网技术 LLC谐振 可靠性分析 ★ 5.0

基于频率预测的拓扑形变控制策略在宽输入电压DR-LLC变换器中的应用

Morphing control strategy of wide input voltage DR-LLC converter for vehicle power supply

Litong Zheng · Yuhan Guo · Xin Zhao · Rui Wang 等7人 · IET Power Electronics · 2024年12月 · Vol.18

本文提出一种基于频率预测的双谐振腔LLC变换器拓扑形变控制策略。该方法通过预测工作频率变化,动态调整电路拓扑结构,有效应对宽范围输入电压带来的挑战,提升系统在复杂工况下的运行稳定性与可靠性,适用于车载电源等对功率密度和适应性要求较高的应用场景。

解读: 该拓扑形变控制策略对阳光电源的车载OBC和储能变流器产品线具有重要参考价值。通过频率预测实现动态拓扑调整的方法,可有效提升ST系列储能变流器在宽压工况下的转换效率,并可应用于车载充电机的高密度设计。该技术与公司现有的SiC功率器件相结合,能够进一步优化PowerTitan储能系统的功率密度和可靠性。...

系统并网技术 构网型GFM 微电网 ★ 5.0

考虑电流限制的逆变器型微电网暂态稳定性分析与增强

Transient Stability Analysis and Enhancement of Inverter-Based Microgrid Considering Current Limitation

Dashuang Li · Qiuye Sun · Rui Wang · Zhengqi Sui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

受当前限流限制的影响,构网型逆变器(GFM)在电网故障时会转变为电流源,这会使基于逆变器的微电网失去电压支撑,进而转变为电流源互联微电网(CSIM),这可能会恶化系统的暂态同步稳定性(TSS)。此前尚未对该问题进行过研究。为此,本文提出了一种 CSIM 暂态同步稳定性的分析与增强方法。首先,推导了 CSIM 的大信号同步模型,该模型考虑了 GFM 限流策略的影响以及 GFM 与跟网型逆变器(GFL)之间的动态交互。其次,通过构建李雅普诺夫能量函数,得到了暂态同步稳定性判据,并研究了参数对稳定性的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于逆变器微电网暂态稳定性的研究具有重要的战略意义。随着公司在分布式光伏、储能系统和微电网领域的深度布局,构网型逆变器(GFM)技术已成为新一代产品的核心竞争力。该论文揭示的电流限幅导致的稳定性问题,正是我们在实际工程中面临的关键挑战。 论文的核心价值在于系统性地分析...

系统并网技术 ★ 4.0

具有氦注入边缘终端的3.0 kV β-Ga2O3基垂直p-n异质结二极管

3.0 kV β-Ga2O3-Based Vertical p-n Heterojunction Diodes With Helium-Implanted Edge Termination

Jiajun Han · Na Sun · Xinyi Pei · Rui Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

我们展示了垂直结构的NiO/β -Ga₂O₃ p - n异质结二极管(HJDs),其击穿电压(VBR)高达3000 V,比导通电阻(Ron,sp)低至3.12 mΩ·cm²,由此得到的巴利加品质因数(FOM)为2.88 GW/cm²。具体而言,引入了一种通过注入轻质量氦原子形成的高效低损伤边缘终端(ET),以抑制HJDs p - n结处的高电场,从而将器件的VBR从1330 V提高到3000 V。对反向泄漏机制进行了拟合和分析,揭示了氦注入器件中不同的击穿机制。仿真结果证实,氦注入边缘终端能够有...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于β-Ga2O3材料的3 kV垂直p-n异质结二极管技术具有重要的战略意义。该器件实现了3000V击穿电压和3.12 mΩ·cm²的超低导通电阻,其2.88 GW/cm²的Baliga品质因数远超传统硅基器件,这对我们在光伏逆变器和储能系统中追求的高效率、高功率密度目...