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基于风险敏感残差发生器的LC滤波电网形成型逆变器补偿控制策略
Risk-Sensitive Residual Generator-Based Compensation-Control Strategy for LC-Filtered Grid-Forming Inverter
Shufeng Zhang · Changan Liu · Yuntao Shi · Yushuai Qi · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2024年12月
并网构网型（GFM）逆变器的控制至关重要，因为它能为系统提供稳定的频率和电压支持，从而实现更多可再生能源的接入。本文旨在开发一种将风险敏感控制与残差补偿控制相结合的新型一次控制策略，增强策略设计的灵活性，以提高GFM逆变器在存在扰动、噪声和参数不确定性情况下的性能。所提出的基于风险敏感残差生成器的补偿控制策略包含两个风险敏感因子——一个用于无偏状态估计和残差生成，另一个用于改善闭环系统性能。这两个风险敏感因子增加了GFM逆变器一次控制策略的设计自由度。首先，本文建立了风险敏感状态估计与残差生成之...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于风险敏感残差发生器的补偿控制策略对构网型（GFM）逆变器技术具有重要的战略意义。随着新能源渗透率不断提高，构网型逆变器已成为替代传统同步发电机、提供电网频率和电压支撑的关键技术，这与阳光电源在光伏逆变器和储能系统领域的核心业务高度契合。 该技术的核心价值在于通过引...
具有复合终端结构和衬底减薄的1200-V/10-A低热阻Ga₂O₃肖特基势垒二极管
1200-V/10-A Low Thermal Resistance Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With Composite Terminal Structure and Substrate Thinning
Zhihong Feng · Shida Han · Yuangang Wang · Hongyu Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中，通过采用台面与双场板复合终端结构，并结合衬底减薄工艺，实现了一款高性能的β - Ga₂O₃垂直肖特基势垒二极管（SBD），该二极管具有高击穿电压、低热阻、低导通电阻、高浪涌电流和高巴利加优值（FOM）等特性。利用研磨和抛光工艺消除了亚表面损伤层，从而实现了低欧姆电阻。得益于减薄至 85 µm 厚的衬底，阳极面积为 2×2 mm²的器件导通电阻从 174 mΩ降至 112 mΩ。因此，在 2 V 偏压下，相应的正向电流从 6.04 A 增加到 10.1 A，浪涌电流从 20 A 增加到...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项氧化镓（Ga₂O₃）肖特基二极管技术具有重要的战略价值。该器件实现了1200V耐压、10A正向电流和342 MW/cm²的Baliga品质因数，这些参数直接对应我们光伏逆变器和储能变流器中功率开关器件的核心需求。 **技术价值分析：** 首先，该器件通过衬底减薄至8...