找到 31 条结果 · 电动汽车驱动
一种级联混合同步控制策略用于并网逆变器
A Cascaded Hybrid Synchronization Control for Grid-Connected Inverters
Feifan Chen · Xiongfei Wang · Haowen Wang · Liang Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
本文重新探讨了矢量电压控制(VVC),发现通过在 $q$ 轴电压参考中引入 $P\text{--}E_{q}$ 下垂控制,传统的锁相环(PLL)可以有效替代功率同步控制,以复现构网型(GFM)逆变器的功率 - 频率(角度)动态特性。因此,本文提出了一种保留传统 PLL 和 VVC 的简单 GFM 控制策略。与近期报道的基于 PLL 的 GFM 方法相比,该方法无需虚拟导纳控制,并且在较宽的电网短路比范围内具有更高的稳定性鲁棒性。
解读: 从阳光电源的业务角度看,这篇论文提出的级联混合同步控制策略对我们的并网逆变器产品线具有重要的技术参考价值。该技术通过在传统矢量电压控制(VVC)中引入P-Eq下垂控制,实现了用常规锁相环(PLL)替代功率同步控制来复现构网型(GFM)逆变器的功率-频率动态特性,这为简化控制架构提供了新思路。 对于...
快速图解法推导双向多端口DC-DC变换器拓扑
Fast Graphical Analysis for Deriving Bidirectional Multi-Port DC-DC Converter Topologies
Liping Mo · Guipeng Chen · C. Q. Jiang · Xiaosheng Wang 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年8月
在可再生能源系统和电动汽车等应用中,对多端口双向直流 - 直流转换器(MP - BDC)的需求日益增长。然而,目前的拓扑推导方法严重依赖手动分析,导致新拓扑的推导速度缓慢,且现有的 MP - BDC 数量有限。为应对这些挑战,本文提出了一种基于图论的快速图形分析(FGA)方法来替代手动分析,引入了一种用于推导单电感多端口双向直流 - 直流转换器(SIMP - BDC)拓扑的快速且系统的方法。该方法包括两个步骤:对 SIMP - BDC 的组件进行穷举组合,并使用 FGA 对这些组合进行分析,以自...
解读: 该图论化拓扑推导方法对阳光电源多端口应用场景具有重要价值。在ST储能系统中,可系统化设计光伏-储能-电网三端口变流器,优化PowerTitan的多能源接入架构;在车载OBC产品线,可推导高压电池-低压电池-充电口多端口拓扑,提升集成度;在光储充一体化充电桩中,可构建光伏-储能-车辆多向能量流动的高效...
超临界有机朗肯循环地热发电系统性能及多目标优化研究
Study on the performance and multi-objective optimization of supercritical Organic Rankine cycle system for geothermal power generation
Yi Ren · Longbin Yang · Yuanwei Cao · Bin Wang 等6人 · Energy Conversion and Management · 2025年8月 · Vol.338
摘要 超临界有机朗肯循环(ORC)因其高热效率、设备结构简单以及占地面积小,成为热能发电领域极具前景的技术。然而,现有的超临界ORC系统优化设计方法仍存在诸多局限性,例如仅聚焦于单目标优化,以及在确定换热器最小温差(pinch point temperature difference)时依赖经验取值。这些局限性往往导致系统运行参数范围受限,可能产生次优解,甚至在复杂约束条件下使优化过程不可行。为克服上述问题,本文提出一种新颖的多目标优化设计方法,将最小温差作为变量引入优化过程中。系统性能通过三个...
解读: 该超临界ORC多目标优化技术对阳光电源储能热管理系统具有重要借鉴价值。研究中的变温差优化方法可应用于PowerTitan储能系统PCS散热设计,通过动态调节换热器温差参数,在保证功率器件可靠运行前提下优化散热面积。其多目标优化思路(功率-成本-体积)与ST系列PCS开发理念高度契合,特别是三电平拓扑...
客座编辑特刊:面向零排放电动交通的电机驱动先进技术
Guest Editorial Special Issue on Advanced Technologies of Motor Drives for Zero-Emission E-Mobility
Yunwei Ryan Li · Wei Hua · Luca Zarri · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月
为实现《巴黎协定》将全球温升控制在2°C以内的目标,电动交通(e-mobility)迅速发展。然而,其电机驱动系统所耗电能仍部分来自化石能源,因此提升驱动系统能效成为实现净零排放的关键。本期特刊聚焦电机驱动在新材料、谐波抑制、电磁干扰抑制、智能控制、故障容错、能量管理及系统设计等方面的前沿进展,收录43篇高质量论文,涵盖提高能效的多种技术路径,推动电动交通可持续发展。
解读: 该特刊聚焦的电机驱动先进技术对阳光电源新能源汽车产品线具有直接应用价值。其中SiC/GaN器件应用、三电平拓扑技术可直接优化车载OBC充电机和电机驱动系统的功率密度与效率;PWM控制、SVPWM及模型预测控制MPC等智能控制算法可提升电机驱动精度和动态响应;谐波抑制与EMI抑制技术可改善充电桩的电能...
用于提升暂态稳定性的构网型换流器直流电压控制
DC Voltage Control of Grid-Forming Converter for Transient Stability Enhancement
Chenhang Xu · Zhixiang Zou · Xiangjun Quan · Zheng Wang 等5人 · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2025年3月
由于具备诸多优势特性,构网型变流器正越来越多地用作分布式能源与电网之间的接口。然而,在电网故障期间,它们可能会遇到暂态稳定性问题,尤其是在考虑直流母线影响时。在相关文献中,虽已探讨了直流母线电压控制对稳定性的影响,但尚未进行全面研究。更重要的是,针对增强暂态稳定性的直流母线电压控制研究甚少。本文提出了一种专门用于增强构网型变流器暂态稳定性的稳定直流母线电压控制方法。通过理论分析和验证证实了该方法的有效性。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于构网型变流器直流电压控制的研究具有重要的战略意义。随着公司在光伏逆变器和储能系统领域的深入布局,构网型控制技术已成为应对高比例新能源接入电网的核心解决方案。该论文针对构网型变流器在电网故障期间可能出现的暂态稳定性问题,特别是直流母线效应引发的失稳风险,提出了专门的稳...
构网型变流器在考虑直流链路效应下的稳定性分析与控制设计
Stability Analysis and Control Design of Grid-Forming Converters With DC-Link Effect
Chenhang Xu · Zhixiang Zou · Xinlei Liu · Meng Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
由于具备诸多优势特性,构网型变流器正越来越多地被用作分布式能源与电网之间的接口。然而,在电网故障期间,它们可能会遇到暂态稳定性问题,尤其是在考虑直流母线影响时。本文建立了一个暂态能量函数,基于李雅普诺夫直接法实现了考虑直流母线影响的构网型变流器的稳定性分析,揭示了暂态失稳主要由功率不平衡和负阻尼效应引起。为解决这一问题,本文提出了一种改进的直流母线电压控制方法,以实现临时的能量存储和惯量调节,从而提高构网型变流器的暂态稳定性并避免可能出现的过电压。本文还提供了理论分析和验证,以证实该方法的有效性...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于构网型变流器暂态稳定性分析与控制设计的研究具有重要的战略价值。随着新型电力系统建设的推进,构网型逆变器正成为我司光伏逆变器和储能系统的核心技术方向,其能够主动支撑电网电压和频率,这对提升分布式能源的并网友好性至关重要。 该研究通过李雅普诺夫直接法建立的暂态能量函数...
栅极开关不稳定性下1700 V平面栅SiC MOSFET的退化依赖性分析与建模
Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability
Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在各种电力电子应用中日益普及。然而,与栅极氧化物相关的重大可靠性问题阻碍了它们的广泛应用。交变栅极偏置下的阈值电压漂移,通常称为栅极开关不稳定性(GSI),对可靠性构成了重大挑战。鉴于碳化硅 MOSFET 在功率转换器中广泛使用,与传统的偏置温度不稳定性相比,研究 GSI 具有实际意义。本研究系统地探究了 1700 V 平面栅碳化硅 MOSFET 对栅极偏置、温度和开关时间等因素的依赖性,并基于物理解释给出了加速因子的形式。...
解读: 从阳光电源的业务场景来看,这项关于1700V平面栅SiC MOSFET栅极开关不稳定性(GSI)的研究具有重要的工程应用价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中,1700V级SiC MOSFET正逐步替代传统IGBT成为核心功率器件,其高频开关特性和低损耗优势能够显著提升系统效率和功率密度。...
用于三相逆变器相电流重构的非对称空间矢量脉宽调制
Asymmetric Space Vector Pulse Width Modulation for the Phase Current Reconstruction in Three-Phase Inverters
Yongpeng Shen · Zhiwei Chen · Hongyuan Huang · Qiancheng Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
摘要:直流母线单电流传感器技术(SCST)因能降低成本和体积,在电机驱动系统中受到了广泛关注。然而,当直流母线单电流传感器技术与传统空间矢量脉宽调制(SVPWM)策略结合使用时,扇区边界和低调制区域不可观测区域的电流重构会降低采样数据的准确性。本文针对三相两电平电压源逆变器提出了一种新型不对称空间矢量脉宽调制(ASVPWM)方法,该方法具有计算开销低、电流重构准确和采样频率恒定的特点。通过在不可观测区域随机移动逆变器的开关状态脉冲,应用该不对称空间矢量脉宽调制方法实现了完整的电流重构。此外,该方...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项非对称空间矢量脉宽调制(ASVPWM)技术在直流母线单电流传感器相电流重构方面的创新,对我们的光伏逆变器和储能变流器产品线具有显著的降本增效价值。 该技术通过单电流传感器替代传统三相电流传感器方案,可直接降低硬件成本约15-20%,同时减小系统体积,这对我们追求高功率...
考虑热耦合效应的键合线脱落与芯片焊接焊料老化的失效机理研究
Failure Mechanism Investigations of Bond Wires Lifting-Off and Die-Attach Solder Aging Considering the Thermal Coupling Effects
Xinglai Ge · Ken Chen · Huimin Wang · Zhiliang Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
失效机理研究(FMI)对于功率模块的可靠性评估至关重要,因此在功率变换器领域备受关注。然而,由热耦合效应(TCEs)导致的复杂失效模式使得明确失效机理变得困难。为解决这一问题,本文针对键合线抬起和芯片焊接层老化开展了失效机理研究,其中仔细考虑了热耦合效应,从而提供了准确的机理分析。在本次失效机理研究中,借助功率循环试验,分析了热耦合效应对失效模式和结温分布的影响。然后,基于有限元模型,对存在热耦合效应时的失效模式进行了全面的机理阐释。结果表明,热耦合效应能够改变芯片表面和芯片焊接层的温度分布均匀...
解读: 作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源产品的核心功率模块长期工作在高温、高频、大电流的苛刻环境中,其可靠性直接影响系统的全生命周期表现。本论文针对功率模块中键合线脱落和芯片焊层老化的失效机理研究,特别是对热耦合效应的深入分析,为我们提升产品可靠性设计能力提供了重要理论支撑。 从业务价值...
基于单元级的有限控制集模型预测控制在并联三相三电平逆变器中的应用
Cell-by-Cell-Based Finite Control Set Model Predictive Control for Paralleled Three-Phase Three-Level Inverters
Hanbin Zhou · Jian Yang · Xiaojiao Chen · Liansheng Huang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年7月
针对有低开关频率要求的高功率并联三相三电平逆变器,本文提出了一种基于逐个单元(CBCB)的新型有限控制集模型预测控制算法。首先,CBCB架构包含两个控制时序交错半个周期的独立逆变器。其次,在CBCB架构内,阐述了一种估计误差更小的延迟补偿方案。此外,为每个独立逆变器设计了一种新型代价函数,使等效控制频率提高一倍。第三,为提高计算效率,在相电压跃变约束和低相环流(PCC)要求下预选候选电压矢量。与传统的分散式有限控制集模型预测控制(FCS - MPC)算法和现有的优化算法相比,所提算法在低平均开关...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的"逐单元"有限集模型预测控制算法对我司大功率光伏逆变器和储能系统产品线具有重要应用价值。 在技术层面,该算法针对并联三相三电平逆变器的控制难题提出了创新性解决方案。通过错开半个周期的交错控制时序设计,使等效控制频率提升一倍,这对我司1500V大功率光伏逆变器和...
含变流器接口电源的电力系统稳定边界:演化与转捩点
Stability Boundary of Power System With Converter Interfaced Generation: Evolution and Transition Point
Yiming Wang · Shiyun Xu · Huadong Sun · Chen Shen · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年6月
近期研究表明,含换流器接口发电(CIG)的电力系统暂态失稳主要与不稳定周期轨道(UPO)有关,而非不稳定平衡点(UEP)。这种现象在弱电网中尤为显著,凸显了研究稳定边界主导因素从 UEP 向 UPO 转变过程的重要性。为此,本研究提出了一种基于能量 - 角度复向量的电力系统暂态稳定分析新框架。在此框架下,开展了稳定边界转变点识别和稳定裕度评估工作。研究发现,CIG 占比增加、系统强度降低以及 CIG 控制参数设置不当等参数条件的变化,可能导致 UPO 在塑造稳定边界中起主导作用,进而使基于 UE...
解读: 该稳定边界演化理论对阳光电源高渗透率新能源系统具有重要指导意义。针对ST系列储能变流器和SG光伏逆变器,UPO失稳机制分析可优化GFM/GFL控制策略的参数边界设计,避免系统运行点接近临界转捩点。在PowerTitan大型储能系统中,可基于拓扑变化特征建立稳定域实时监测模型,提前预警环面分岔风险。对...
基于碳经济合约与履约感知调度的公平低碳车网互动
A fair and low-carbon V2G scheduling framework based on carbon-economic contracts and fulfillment-aware dispatch
Haiwen Chen · Xuelian Li · Xiaoxue Wang · Zhen Xin 等7人 · Applied Energy · 预计 2026年5月 · Vol.410
本文提出一种融合碳排放约束与经济激励的车网互动(V2G)调度框架,通过碳-经济双维度合约设计和考虑用户响应能力的履约感知调度算法,提升电网低碳性与用户公平性。
解读: 该研究对阳光电源ST系列双向储能变流器(PCS)及iSolarCloud平台拓展V2G聚合调控能力具有直接参考价值。其碳-经济合约机制可嵌入PowerTitan系统在光储充一体化电站中的智能调度策略;履约感知调度思想可增强组串式逆变器+充电桩协同场景下的负荷柔性调控精度。建议在iSolarCloud...
基于镓掺杂实现高阈值稳定性的GeSe基选择器专用存储器
High-Threshold-Stability GeSe-Based Selector-Only Memory Enabled by Gallium Doping
Yaru Zhang · Jinyu Wen · Chuanqi Yi · Lun Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
仅选择器存储器(SOM)利用 Ovonic 阈值开关(OTS)器件中的阈值电压($V_{th}$)漂移来存储数据,因其低延迟、高密度和成本效益高,已成为一种颇具前景的存储级存储器(SCM)候选方案。然而,$V_{th}$的不稳定性,包括可变性和漂移,仍然是一个主要的可靠性挑战。在此,我们提出一种镓(Ga)掺杂策略来增强$V_{th}$的稳定性。在双势阱 OTS 模型的指导下,我们采用从头算分子动力学(AIMD)计算,分析了各种掺杂剂对 SOM 材料中决定$V_{th}$稳定性的配位数(CNs)和...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于镓掺杂GeSe的选择器存储器技术虽属半导体存储领域,但其底层技术原理对我司储能系统和智能化产品具有重要参考价值。 该技术的核心突破在于通过镓掺杂显著提升了阈值电压的稳定性,这与我司储能系统中电池管理系统(BMS)和功率控制单元面临的挑战存在相似性。储能系统要求在宽...
高功率器件封装中含重铸层和粗糙界面的陶瓷通孔互连结构热力学分析
Thermodynamic analysis of TCV interconnect structure with recast layers and rough interfaces for high-power device packaging
Xin Zou · Zhirui Xu · Hao Chen · Yang Peng 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年9月
通孔陶瓷过孔(TCV)互连结构的热机械行为对三维封装可靠性有着显著影响。然而,现有研究在很大程度上忽视了激光钻孔所产生的缺陷——特别是重铸层和粗糙界面——在调节高功率器件热应力方面的关键作用。在本研究中,提出了一种考虑重铸层和粗糙界面的TCV互连结构的新型热力学分析方法。利用魏尔斯特拉斯 - 曼德布罗特(W - M)分形函数建立了具有可调界面粗糙度的陶瓷 - 重铸层 - 铜模型。实验结果与模拟结果吻合良好,最大误差仅为11.1%。热力学模拟结果显示,热应力与界面粗糙度之间存在非单调关系:在所有温...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文针对陶瓷通孔(TCV)互连结构的热力学研究具有显著的应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等大功率设备中,功率半导体模块是核心部件,其封装可靠性直接影响系统的长期稳定性和功率密度提升。 该研究的核心贡献在于首次系统性地量化了激光钻孔工艺缺陷(重铸层和粗糙界面)对热应力的...
基于虚拟电压信号注入全阶状态观测器的内嵌式永磁同步电机零速无传感器控制方法
Zero-Speed Sensorless Control Method for IPMSM Drives Using Virtual Voltage Signal Injection Based Full-Order State Observer
Kairan Wang · Guoqiang Zhang · Jianbing Chen · Wei Sun 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
针对内嵌式永磁同步电机(IPMSM)在零速下因不可观测性导致模型基无传感器控制失效的问题,本文提出了一种基于虚拟电压信号注入的全阶状态观测器。该方法通过建立电机转速的局部弱可观测性准则,实现了额定负载下的零速无传感器控制。
解读: 该技术对于阳光电源的电动汽车充电桩及相关电机驱动控制系统具有重要参考价值。在充电桩配套的散热风扇驱动或未来可能涉及的储能系统电机控制中,零速无传感器控制能有效降低硬件成本并提高系统可靠性。建议研发团队关注该全阶观测器算法在低速区间的鲁棒性表现,并评估其在阳光电源现有电机驱动控制平台上的移植可行性,以...
通过外部品质因数调节机制提升亚太赫兹同轴切伦科夫发生器的功率容量
Power Capacity Improvement of Subterahertz Coaxial Cherenkov Generator by External Quality Factor Regulating Mechanism
Junqing Wang · Renzhen Xiao · Kun Chen · Yanchao Shi 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
提出了一种具有外部品质因数调节机制的新型亚太赫兹相对论同轴切伦科夫振荡器。该装置能够同时实现高输出效率和高功率容量。为提高输出效率,采用了同轴分段慢波结构(SWS)。为提高功率容量,首先,采用具有较低外部品质因数($Q_{\text {e}}$)的优化慢波结构。然后,由于装置中同时存在准横电磁(TEM)模和TM01模,引入了一种新方法,即增设中间腔、尾腔和波导环,以进一步提高功率容量。这些结构可通过改变太赫兹波的传输和反射特性,实现对准TEM模和TM01模外部品质因数的相对独立调节。粒子模拟结果...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项亚太赫兹同轴切伦科夫振荡器技术虽然属于高能物理与微波电子学的前沿领域,但其核心创新理念对公司现有产品线具有重要的借鉴价值。 该技术通过外部品质因数调节机制实现了高效率与高功率容量的同时提升,这一设计思路与阳光电源在大功率光伏逆变器和储能变流器开发中面临的挑战高度契合。...
缺陷演化对14 MeV中子辐照后AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响
The impact of defect evolution on the electrical performance of AlGaN/GaN HEMT after 14-MeV neutron irradiation
Von Bardeleben · Van De Walle · China Machine Press · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126
研究了14 MeV中子辐照及退火处理对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)电学性能与缺陷演化关系的影响。随着辐照注量增加,器件的漏极电流、跨导及载流子浓度显著下降,而反向栅泄漏电流上升。通过深能级瞬态谱技术分析发现,中子辐照引入了多个深能级缺陷,其浓度随注量增加而升高,且在退火过程中部分缺陷发生转化或湮灭。研究表明,位移损伤导致的点缺陷及其演化进程是电学性能退化的主要机制,为HEMT在辐射环境中的可靠性评估提供了重要依据。
解读: 该GaN HEMT中子辐照损伤机理研究对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。研究揭示的深能级缺陷演化规律可指导SG系列光伏逆变器、ST储能变流器及电动汽车驱动系统中GaN器件的可靠性设计。针对辐照引起的载流子浓度下降、栅泄漏增加等退化机制,可优化器件筛选标准和老化测试方案。退火处理对缺陷的修复效应...
基于源/漏隧道结接触实现漏极电流超过110 mA/mm的增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管
Enhancement-mode GaN/AlGaN p-channel field effect transistors with _I_ D **>** 110 mA/mm achieved through source/drain tunnel junction contacts
Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺,显著提升了空穴浓度与迁移率,实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性,最大漏极电流密度超过110 mA/mm,跨导达15 mS/mm,亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。
解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于:1)ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块,p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换;2)车载OBC和电机驱动系统,p沟道器件可简化...
一种用于最大化无人机辅助移动边缘计算中计算速率的动态优化框架
A Dynamic Optimization Framework for Computation Rate Maximization in UAV-Assisted Mobile Edge Computing
Yang Chen · Dechang Pi · Shengxiang Yang · Yue Xu 等6人 · IEEE Transactions on Vehicular Technology · 2025年3月
移动边缘计算(MEC)显著提升了物联网(IoT)设备的计算能力并降低了其能耗,是云计算的重要补充。将无人机(UAV)应用于MEC系统可有效缓解偏远地区通信设施不足或损坏的问题,进一步拓展MEC的应用范围。本文针对动态环境下的无人机辅助无线供能MEC系统提出了一个系统模型,目标是最大化用户设备的计算速率。由于动态环境下优化目标的复杂性,我们提出了一种基于群体智能的优化框架,并配备应对环境变化的机制,旨在增强静态和动态环境下的种群多样性,以克服过早收敛问题。我们将粒子群优化算法和和声搜索算法集成到所...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项无人机辅助移动边缘计算(UAV-MEC)技术为分布式新能源系统的智能化管理提供了创新思路。当前,阳光电源在光伏电站、储能系统及综合能源解决方案中面临着偏远地区通信基础设施不足、实时数据处理能力受限等挑战,该技术恰好针对这些痛点提供了解决方案。 该论文提出的动态优化框架...
对4H-SiC MOSFET双极性退化机制的新见解
A Novel Insight Into the Mechanism of Bipolar Degradation in 4H-SiC MOSFET
Yangtao Long · Yuan Chen · Pengkai Wang · Bo Hou 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月
在变流器应用中,碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的体二极管常被用作续流二极管以降低成本和节省空间,这可能会导致器件出现双极退化现象。本文分析并比较了 1200 V SiC MOSFET 在直流和脉冲电流应力条件下的双极退化机制。研究表明,直流应力下的退化速度比脉冲应力下更快,这是因为在脉冲电流关断状态期间,器件中的位错会收缩,从而使整体退化速度变慢。在较低的直流电流密度下,双极退化过程在退化前会经历一个激活阶段,且随着电流密度的降低,激活时间和退化时间会变...
解读: 作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源产品中大量应用SiC MOSFET器件以提升功率密度和转换效率。该论文揭示的双极退化机制对我司产品可靠性具有重要指导意义。 在光伏逆变器和储能变流器应用中,为降低成本和优化空间布局,我们通常将SiC MOSFET的体二极管用作续流二极管。这种设计虽...
第 1 / 2 页