找到 9 条结果 · 拓扑与电路

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拓扑与电路 ★ 5.0

基于绝缘体上硅的伪逆变器用于高灵敏度NO₂和NH₃气体检测

Pseudo-Inverter Based on Silicon-on-Insulator for Highly Sensitive NO₂ and NH₃ Gas Detection

Sherzod Khaydarov · Haihua Wang · Wei Zhang · Peng Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

本研究探讨了基于绝缘体上硅(SOI)衬底的伪反相器(Ψ - 反相器)和伪 MOS(Ψ - MOS)在 NO₂ 和 NH₃ 气体检测中的应用。实验结果表明,具有高内部增益特性的 Ψ - 反相器,在针对两种目标气体的不同沟道厚度条件下,与 Ψ - MOS 器件相比,始终表现出更优异的灵敏度。在 1 ppm 浓度下,Ψ - 反相器对 NO₂ 和 NH₃ 的灵敏度分别达到了 1248% 和 83.9%,分别是 Ψ - MOS 灵敏度的 102.5 倍和 19.7 倍。此外,Ψ - 反相器结构具有直接输出...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于SOI基板的伪逆变器气体检测技术具有重要的潜在应用价值。在光伏电站、储能系统及氢能设施的运维管理中,环境气体监测是保障设备安全和人员健康的关键环节。 该技术对NO₂和NH₃的高灵敏度检测能力(1 ppm浓度下分别达到1248%和83.9%的灵敏度)可为我司多个业务...

拓扑与电路 ★ 5.0

一种改进的广义扩展状态观测器在双三相永磁同步电机电流谐波补偿中的应用

An Improved Generalized Extended State Observer for Current Harmonic Compensation in Dual Three-Phase PMSMs

Xuefeng Zhang · Qiwei Xu · Yiru Miao · Xuan Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

双三相永磁同步电机(DTP - PMSM)存在在逆变器非线性、非正弦反电动势和外部干扰等情况下易出现较大定子电流谐波的缺点。为解决该问题,本文提出了一种用于电流谐波抑制的改进广义扩展状态观测器(IGESO)。首先,探究了传统干扰观测器中低频和高频周期性干扰观测之间的关系。其次,采用陷波器对传统广义扩展状态观测器(GESO)结构进行优化,以避免在观测两种不同频率干扰时产生相互干扰。然后,提出了一种新的观测器极点设计原则,该原则可分别控制周期性干扰的抑制频率范围和衰减程度。此外,还给出了与其他策略的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项改进型广义扩张状态观测器(IGESO)技术对我们在电机驱动和电能变换领域具有重要应用价值。双三相永磁同步电机在逆变器非线性、反电动势畸变和外部扰动下易产生定子电流谐波问题,这与我们光伏逆变器、储能变流器以及新能源汽车驱动系统面临的核心挑战高度契合。 该技术的创新点在于...

拓扑与电路 ★ 5.0

采用背沟道SnO/a-GaOₓ p-n异质结结构的p型SnO薄膜晶体管氧化物PMOS反相器

Oxide-PMOS Inverter Using p-SnO Thin-Film Transistors With Back-Channel SnO/a-GaOₓ p-n Heterojunction Structure

Yong Zhang · Sashank Sriram · Kenji Nomura · IEEE Electron Device Letters · 2024年12月

增强型(E 型)p 沟道氧化物薄膜晶体管(TFT)的缺失限制了 p 沟道氧化物 TFT 的应用。为克服这一挑战,针对 E 型 p 沟道 SnO-TFT 开发了一种利用 n 型非晶 GaOx 的低温背沟道 pn 异质结结构。这种方法将工艺对 p 沟道 SnO 的损伤降至最低,在不影响器件性能的情况下实现了稳定的 E 型工作模式。E 型 SnO-TFT 的阈值电压为 -4.7 V,空穴场效应迁移率为 2.6 cm²/(V·s),其器件性能与耗尽型(D 型)器件相当。对 pn 二极管进行的器件实验和仿...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项氧化物p型薄膜晶体管(TFT)技术虽然目前聚焦于显示和集成电路领域,但其底层创新理念对我们的功率电子产品具有潜在的启发价值。 该研究通过背沟道p-n异质结构实现了增强型p沟道氧化物TFT,解决了长期困扰业界的p型氧化物半导体器件性能瓶颈。其核心价值在于:首先,低温工艺...

拓扑与电路 故障诊断 ★ 5.0

逆变器系统早期故障检测的多阶密集特征提取

Intensive Multiorder Feature Extraction for Incipient Fault Detection of Inverter System

Min Wang · Feiyang Cheng · Min Xie · Gen Qiu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

逆变器系统在航空航天、国防、交通运输、现代工业和电力系统中起着至关重要的作用,这促使学者和工程师们在故障诊断方面付出了大量努力。基于数据的方法在解决该问题时被广泛应用,因其可利用现有的历史数据,而无需进行复杂的数学建模,但它们在检测顽固的早期故障方面能力不足。因此,本文提出了一种深度多阶特征提取器(IMFE)用于逆变器系统的早期故障检测,该提取器能够深度提取统计特征并减少有害干扰。首先,采用一种在非相邻层之间具有短路径的密集结构,以实现多阶知识的复用。然后,对获取的特征进行优化,并舍弃低质量信息...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这篇关于逆变器系统早期故障检测的论文具有重要的工程应用价值。论文提出的密集多阶特征提取器(IMFE)方法,针对传统数据驱动方法在早期故障检测中的不足,通过密集连接结构实现多阶知识重利用和特征精炼,将故障检测率提升3.1%,这对于大规模光伏电站和储能系统的可靠性保障具有显著意...

拓扑与电路 ★ 4.0

基于Bi2O2Se/CdSe垂直型II类异质结的宽带、高性能自供电光电探测器

Broadband, High-performance, and Self-Powered Photodetector based on a Bi2O2Se/CdSe vertical type-II heterojunction

Qianjin Wang · Qicheng Zhang · Peizhi Yang · Yingkai Liu 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月

目前,基于 Bi₂O₂Se 的光电探测器存在响应度低、探测灵敏度有限以及宽带光响应能力不足等问题,这极大地阻碍了其在高性能光电器件中的实际应用。为克服这些局限,本研究设计并制备了一种基于垂直堆叠 Bi₂O₂Se/CdSe 异质结的宽带(300 - 1300 nm)高性能光电探测器。在 560 nm 光照和 5 V 偏置电压下,该器件表现出 6.18×10³ A/W 的高响应度、1.46×10⁴ 的开关比以及 1.95×10¹⁴ Jones 的比探测率。值得注意的是,即使在零偏置条件下,该器件仍能...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该Bi₂O₂Se/CdSe异质结自供电光电探测器技术展现出与我司核心业务领域的多维度协同潜力。 **直接应用价值**:该器件在零偏压条件下仍保持1.99 A/W的响应度和2.52×10³的开关比,其自供电特性与我司分布式光伏和储能系统的智能监控需求高度契合。在光伏电站的组...

拓扑与电路 ★ 4.0

一种用于微波功率传输的透明宽角接收超表面研究

Investigation of a Transparent and Wide-Angle Reception Metasurface for Microwave Power Transfer

Huaiqing Zhang · Mengyu An · Hui Xiao · Jinpeng He · IEEE Electron Device Letters · 2025年3月

在这项工作中,展示了一种用于微波功率传输的新型光学透明超表面(OTM)。该导体基于柔性透明的铟锡氧化物。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于透明导电氧化物(ITO)的超表面微波功率传输技术呈现出较为独特的跨领域融合特征,但其与公司核心业务的关联度相对有限。 该技术的核心价值在于实现光学透明与微波能量接收的兼容,这在理论上可为分布式能源系统提供新的能量补充路径。对于阳光电源的储能系统和微电网解决方案而言...

拓扑与电路 ★ 4.0

基于ALBERT-BiLSTM-CRF的变压器套管故障中文命名实体识别

Chinese Named Entity Recognition of Transformer Bushing Faults Based on ALBERT-BiLSTM-CRF

Lijun Jin · Yufang Zhang · Zhikang Yuan · Shuojie Gao 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年12月

随着新型电力系统的数字化转型升级,传统电力设备对智能化功能的需求不断增加。套管作为变压器的关键设备之一,仍面临事故难以预测等问题,迫切需要采用数字化手段提高变压器套管的运维效率。目前,运维人员已以文本形式积累了大量变压器套管运行经验,但这些文本中的故障描述专业性强且因人而异,给机器自动进行故障识别带来了挑战。本文提出一种基于 ALBERT - BiLSTM - CRF 的中文变压器套管故障识别方法。首先,基于已发表的论文、故障报告、分析资料、记录和标准构建变压器套管故障数据集。其次,将文本转换为...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于ALBERT-BiLSTM-CRF的变压器套管故障识别技术具有重要的借鉴价值和应用潜力。虽然研究聚焦于传统电力变压器领域,但其核心方法论可直接迁移至我司光伏逆变器、储能变流器等核心设备的智能运维体系中。 该技术的核心价值在于将非结构化的中文故障文本转化为可机器识别...

拓扑与电路 ★ 4.0

零折射率超表面在微波功率传输应用中的设计与测量

Design and Measurement of a Zero-Index Metasurface for Microwave Power Transmission Applications

Huaiqing Zhang · Zhenteng Fan · Jingjing Yang · Jinpeng He 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

在实际的微波功率传输(MPT)应用中,斜入射角总会影响移动接收器所捕获的功率。为缓解这一问题……

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项零折射率超表面技术虽然聚焦于微波无线电能传输领域,但其底层原理对我们在新能源系统的无线监测、智能运维和未来能源互联网建设方面具有启发意义。 该技术通过超表面材料实现对斜入射电磁波的高效接收,核心价值在于解决移动接收端因角度变化导致的能量捕获效率下降问题。这一技术思路可...

拓扑与电路 ★ 4.0

采用准自对准着陆垫实现100 Ω寄生电阻和965 μA/μm导通电流的高性能GAA晶体管

High-Performance GAA FETs With 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current Using Quasi-Self-Aligned Landing Pads

R. J. Jiang · P. Wang · J. X. Yao · X. X. Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

为克服环绕栅场效应晶体管(GAA FETs)中严重的外延缺陷所导致的高寄生电阻和驱动性能不佳的挑战,本文提出了一种准自对准着陆垫(QSA LPs)技术,并展示了在 GAA FETs 中多层堆叠沟道与单晶硅锗/硅超晶格源/漏(SD)结构之间的无缺陷连接。与采用宽间距着陆垫的器件相比,使用 QSA LPs 技术时,N 型场效应晶体管(NFET)和 P 型场效应晶体管(PFET)的寄生源/漏电阻($R_{SD}$)分别降低了 98.8% 和 96.3%。因此,对于栅长为 180 nm 的 N/PFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GAA FET准自对准着陆焊盘技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的工艺方案,将寄生电阻降低超过96%,并实现965 μA/μm的高导通电流,这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器领域,功率半导体器件的性能直接决定了系统的转换效率和功率密度。GAA FET...