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迈向真正的零电压开关
ZVS）边界
Wucheng Ying · Hui Zhao · Ameer Janabi · Jinwei Qi 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文针对高效率、高功率密度变换器中导通损耗占主导的问题，探讨了零电压开关（ZVS）技术。指出不准确的ZVS边界判定会导致设计偏差，造成开关损耗增加或导通/关断损耗过大，从而影响变换器的整体性能。
解读: 该研究对提升阳光电源光伏逆变器及储能PCS的功率密度至关重要。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中，精确的ZVS边界控制能有效降低开关损耗，提升整机效率。特别是在应用SiC/GaN等宽禁带半导体时，该理论有助于优化软开关控制策略，减少散热设计冗余，从而实现更紧凑的系统集成。建议研发团队...
基于Bi2O2Se/CdSe垂直型II类异质结的宽带、高性能自供电光电探测器
Broadband, High-performance, and Self-Powered Photodetector based on a Bi2O2Se/CdSe vertical type-II heterojunction
Qianjin Wang · Qicheng Zhang · Peizhi Yang · Yingkai Liu 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月
目前，基于 Bi₂O₂Se 的光电探测器存在响应度低、探测灵敏度有限以及宽带光响应能力不足等问题，这极大地阻碍了其在高性能光电器件中的实际应用。为克服这些局限，本研究设计并制备了一种基于垂直堆叠 Bi₂O₂Se/CdSe 异质结的宽带（300 - 1300 nm）高性能光电探测器。在 560 nm 光照和 5 V 偏置电压下，该器件表现出 6.18×10³ A/W 的高响应度、1.46×10⁴ 的开关比以及 1.95×10¹⁴ Jones 的比探测率。值得注意的是，即使在零偏置条件下，该器件仍能...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该Bi₂O₂Se/CdSe异质结自供电光电探测器技术展现出与我司核心业务领域的多维度协同潜力。 **直接应用价值**：该器件在零偏压条件下仍保持1.99 A/W的响应度和2.52×10³的开关比，其自供电特性与我司分布式光伏和储能系统的智能监控需求高度契合。在光伏电站的组...