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拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

磁耦合交错H桥的最优集成设计

Optimal Integrated Design of a Magnetically Coupled Interleaved H-Bridge

Andrea Stratta · Davide Gottardo · Mauro Di Nardo · Jordi Espina 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月

宽禁带半导体与无源元件、驱动及热管理等组件的集成,是实现电力电子系统小型化的关键。本文针对磁耦合交错H桥,提出了一种复杂的多物理场优化设计方法,旨在解决多变量约束下的系统体积优化与性能提升问题。

解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体(SiC/GaN)与磁性元件的深度集成及多物理场协同优化,这对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerStack储能变流器中,功率密度的提升是核心竞争力,该方法论可直接指导高频化、小型化功率模块的设计。建议研发团队将其多物理场耦合优化模型引入到下一代高...