找到 1 条结果 · 功率器件技术
排序:
功率器件技术
SiC器件
宽禁带半导体
功率模块
★ 5.0
一种基于SiC MOSFET动态振荡的频率基杂散参数提取方法
A Frequency-Based Stray Parameter Extraction Method Based on Oscillation in SiC MOSFET Dynamics
Sideng Hu · Mingyang Wang · Zipeng Liang · Xiangning He · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
SiC器件的动态开关过程与电路杂散参数密切相关。本文提出了一种独立于变换器拓扑的SiC MOSFET专用提取平台，可实验提取变换器中任意功率流路径的杂散电感。该方法仅利用SiC器件的电压振荡特性即可实现参数提取。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高价值。随着公司产品向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的杂散参数对开关损耗、电压尖峰及EMI特性影响显著。该方法无需复杂拓扑即可精确提取杂散电感，有助于优化PCB布局设计，提升SiC功率模块的可靠性与效率。建议在研...