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混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计...
一种无需磁开关的反向开关晶闸管(RSD)触发电路
A Trigger Circuit for the Reversely Switched Dynistor Without a Magnetic Switch
Aoming Ge · Zhiwei Kang · Ning Wang · Wenbo Yang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
反向开关晶闸管（RSD）是一种具备极高电流上升率和峰值电流承受能力的固态半导体开关。作为一种两端器件，RSD需通过反向预充电电流触发。本文提出了一种无需磁开关的RSD触发电路，旨在解决传统触发方案中磁开关体积大、响应慢的问题，提升了高功率脉冲应用中开关控制的紧凑性与可靠性。
解读: RSD属于高功率脉冲半导体器件，主要应用于超高功率密度或特种脉冲电源领域，与阳光电源目前主流的光伏逆变器（IGBT/SiC基）和储能PCS（PowerTitan/PowerStack）技术路线存在一定差异。该研究提出的无磁开关触发技术在提升功率密度方面具有参考价值，可关注其在未来超大功率特种电源或特...