找到 3 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 功率模块 可靠性分析 多电平 ★ 3.0

MMC-HVdc系统中IGCT极端故障的系统性分析与表征—第一部分:器件结构、爆炸特性与优化

Systematic Analysis and Characterization of Extreme Failure for IGCT in MMC-HVdc System—Part I: Device Structure, Explosion Characteristics, and Optimization

Wenpeng Zhou · Biao Zhao · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

本文研究了MMC-HVdc系统中功率器件的防爆性能,这对系统安全运行至关重要。通过对比主流商用功率器件结构,指出集成门极换流晶闸管(IGCT)具有最简单的封装结构,适用于承受MMC-HVdc系统中的极端故障。文章深入分析了其爆炸特性并提出了优化方案。

解读: 虽然阳光电源目前的核心业务(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC功率模块,但随着公司在大型地面电站及高压直流输电领域(如柔性直流输电配套)的业务拓展,对高压大功率器件的极端故障机理研究具有参考价值。IGCT在高压大功率应用中具有独特优势,该研究中关于器件封装结构优化...

功率器件技术 可靠性分析 功率模块 多物理场耦合 ★ 3.0

MMC-HVdc系统中IGCT极端失效的系统性分析与表征——第二部分:失效机理与短路特性

Systematic Analysis and Characterization of Extreme Failure for IGCT in MMC-HVdc System—Part II: Failure Mechanism and Short Circuit Characteristics

Wenpeng Zhou · Zhanqing Yu · Zhengyu Chen · Fanglin Chen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对模块化多电平换流器(MMC)高压直流输电系统中集成门极换流晶闸管(IGCT)的短路失效模式(SCFM)进行了研究。由于IGCT封装结构的限制,其短路失效机理难以直接观测。本文通过多物理场分析,揭示了IGCT在极端失效条件下的电流密度变化及短路特性,为高压电力电子器件的可靠性评估提供了理论依据。

解读: 虽然阳光电源目前的核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、充电桩)主要采用IGBT或SiC功率器件,而非IGCT,但该文献研究的极端工况下功率器件失效机理、多物理场耦合仿真方法以及短路特性分析,对于提升阳光电源大功率储能系统(如PowerTitan)和集中式逆变器中功率模块的可靠性设计具有重要的参考价值...

功率器件技术 多电平 可靠性分析 故障诊断 ★ 3.0

基于IGCT的MMC直通故障综合分析、设计与实验

Comprehensive Analysis, Design, and Experiment of Shoot-Through Faults in MMC Based on IGCT for VSC-HVDC

Wenpeng Zhou · Biao Zhao · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文针对基于集成门极换流晶闸管(IGCT)的模块化多电平换流器(MMC),对其直通故障进行了全面分析、设计与实验验证。IGCT因其高可靠性、低成本及低电压降特性,成为高压直流输电(VSC-HVDC)的理想选择。研究重点探讨了子模块的故障机理及保护策略。

解读: 该研究聚焦于高压大功率电力电子领域,虽然阳光电源目前的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC器件,但随着公司在大型地面电站及高压直流输电领域业务的拓展,对IGCT等高压功率器件的应用研究具有前瞻性参考价值。文章中关于MMC直通故障的分析方法和保护设计逻辑,...