找到 3 条结果 · 功率器件技术
中压功率模块陶瓷基板-硅凝胶界面电荷的时空测量
Spatiotemporal Measurement of Charge at Ceramic Substrate–Silicone Gel Interface in Medium-Voltage Power Modules
Kaixuan Li · Boya Zhang · Ziyue Yang · Xinyu Jiang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
随着高压、高功率密度器件的普及，功率模块的绝缘失效成为潜在隐患。其中，陶瓷基板与硅凝胶界面沿面击穿是典型的失效过程。本文重点研究了在该失效机制中起关键作用的电荷运动特性，旨在通过时空测量手段揭示其绝缘失效机理。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率模块可靠性设计。随着公司PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压等级（如1500V/2000V）和更高功率密度演进，功率模块内部绝缘界面的电荷积聚与击穿风险显著增加。该文章提出的界面电荷测量方法，可用于指导公司研发团队优化功率模块的封装工艺与绝缘材料选型...
利用PWM开关振荡进行IGBT关断时间的非接触式监测
Noncontact Monitoring of IGBT Turn-OFF Time Using PWM Switching Ringing for Inverter-Fed Machine Systems
Dawei Xiang · Ning Zhao · Hao Li · Xinyu Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
IGBT关断时间是评估器件结温及健康状态的关键参数。传统直接测量法存在安全与复杂性问题。本文提出一种利用PWM开关振荡进行非接触式监测的新方法，无需直接接触高压侧，即可实现对IGBT运行状态的有效监控。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。作为全球领先的逆变器供应商，阳光电源的产品广泛应用于严苛环境，IGBT的可靠性直接决定了系统的寿命。该非接触式监测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现对组串式及集中式逆变器内部核心功率模块的实时健康...
基于动态dv/dt开关模型的GaN HEMT最小开关损耗三段式有源驱动策略
Minimal Switching Loss Three-Stage Active Gate Driving Strategy Based on Dynamic dv/dt Switching Model for GaN HEMT
Shuo Zhang · Chang Liu · Xinyu Li · Desheng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
GaN HEMT的高速开关特性带来了高dv/dt和严重的电磁干扰（EMI）问题，需在开关速度与损耗间权衡。三段式栅极驱动（TSGD）虽能缓解此矛盾，但受限于非线性寄生电容，难以实现最优开关损耗。本文提出了一种基于动态dv/dt模型的优化策略，以实现GaN器件在最小开关损耗下的高效驱动。
解读: GaN等宽禁带半导体是提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化储能产品功率密度的关键。该研究提出的三段式有源驱动策略，能够有效平衡GaN器件的高频开关损耗与EMI干扰，对于优化阳光电源户用逆变器（如SG系列）及微型逆变器的效率和电磁兼容性设计具有重要参考价值。建议研发团队关注该动态dv/dt模型在功率模块...