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采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的分裂输出变换器性能评估
Performance Evaluation of Split Output Converters With SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes
Qingzeng Yan · Xibo Yuan · Yiwen Geng · Apollo Charalambous 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年1月
本文探讨了碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管在功率变换器中的应用。虽然SiC器件能显著提升功率密度和系统效率，但其超快开关特性引发了桥臂直通（串扰）、高开通损耗及电磁干扰（EMI）等挑战。文章针对分裂输出变换器进行了深入的性能评估与分析。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和效率演进，SiC器件的应用已成为主流。针对文中提到的串扰和EMI问题，建议在研发中优化驱动电路设计及PCB布局，以充分发挥SiC的性能优势。该技术可直接应用于新一代高频化、小型化逆变...