找到 6 条结果 · 功率器件技术
高压大容量应用中IGBT驱动技术综述
Overview of IGBT Driving Technology for High Voltage and High Capacity Applications
Xianjin Huang · Pengze Zhu · Jiaqi Pan · Yang Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文综述了高压大容量应用（如海上风电、直流输电等）中IGBT驱动电路的研究现状。驱动电路作为功率转换设备的核心，对提升开关性能、系统可靠性及效率至关重要。文章对比了不同驱动拓扑的优缺点，并探讨了未来在高压环境下驱动技术的发展趋势。
解读: IGBT驱动技术是阳光电源核心产品（如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器）性能优化的基石。随着公司产品向更高电压等级（如1500V/2000V系统）和更大功率密度演进，驱动电路的抗干扰能力、开关损耗控制及短路保护机制直接决定了产品的可靠性与效率。建议研发团队关注文中...
基于改进温度准则的IGBT健康状态监测自激短路法研究
Research of Self-Excited Short Circuit Method for Monitoring IGBT Health Status With Improved Temperature Criterion
Xianjin Huang · Pengze Zhu · Li Zhu · Guangang Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
针对IGBT模块在长期运行中键合线和母排易出现断路导致短路电流变化的问题，本文提出一种自激短路监测技术。通过控制栅极电压产生小电流短路，并结合改进的温度准则，实现对IGBT健康状态的有效评估与故障诊断。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。逆变器与PCS中的IGBT模块是核心功率器件，其可靠性直接决定了系统的寿命。通过引入自激短路监测技术，阳光电源可在iSolarCloud平台中集成更精准的预测性维护功能，...
一种基于单片GaN的LLC-SRC，具有低于1 mA的静态电流和98.6%的峰值效率，符合能源之星和80 Plus钛金标准
A Monolithic GaN-Based LLC-SRC With Sub-1 mA Quiescent Current and 98.6% Peak Efficiency for Energy Star Standard and 80 Plus Titanium Standard
Chi-Yu Chen · Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Yu-Ting Huang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文提出了一种基于GaN的混合栅极驱动器，包含两种逆变器，在25 MHz高频下实现了23.2 μA的低静态电流。通过自动预充技术监测自举电容电压，将待机漏电流从毫安级降至62 μA，使系统峰值效率达到98.6%，满足高能效标准。
解读: 该技术在宽禁带半导体应用及高频高效拓扑方面具有重要参考价值。对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线，GaN器件的应用能显著提升功率密度并降低待机功耗，助力产品满足严苛的能效标准（如80 Plus钛金级）。建议研发团队关注该单片集成驱动技术，探索其在小功率DC-DC变换模块中的应用，以优化轻载效率...
用于超过500 W/cm²散热功率电子器件的双相流微通道热管理系统
Microchannel Thermal Management System With Two-Phase Flow for Power Electronics Over 500 W/cm2 Heat Dissipation
Fengze Hou · Hengyun Zhang · Dezhu Huang · Jiajie Fan 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
本文提出了一种采用低全球变暖潜势制冷剂R1234yf的双相流微通道热管理系统（MTMS）。通过将热测试芯片嵌入基板并连接至铝制微通道散热器，实现了高效散热。研究表明该系统在超过500 W/cm²的高热流密度下表现出优异的冷却性能，为高功率密度电力电子器件的散热提供了有效解决方案。
解读: 随着阳光电源PowerTitan液冷储能系统及大功率组串式逆变器功率密度的持续提升，功率模块的散热瓶颈日益凸显。该技术提出的双相流微通道散热方案，能够有效应对500 W/cm²以上的高热流密度，对于提升IGBT/SiC功率模块的集成度及可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该技术在下一代高功率密度...
温度对压接式IGBT内部压力分布的影响
Influence of Temperature on the Pressure Distribution Within Press Pack IGBTs
Erping Deng · Zhibin Zhao · Zhongkang Lin · Ronggang Han 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
压接式（Press Pack）封装技术近年来被应用于高压大功率IGBT。内部压力分布对电气与热接触电阻、热循环能力及短路电流额定值至关重要。本文研究了温度变化对压接式IGBT内部压力分布的影响，旨在优化其机械结构与可靠性。
解读: 压接式IGBT（Press Pack IGBT）常用于高压大功率应用，与阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）中的核心功率模块设计密切相关。该研究揭示了温度波动对器件内部压力分布的影响，对于提升大功率变流器在极端工况下的热循环寿命和短路耐受能力具有重要指导意义。建议研...
一种具有浪涌电流保护和尖峰抑制功能的动态导通电阻降低型双向氮化镓负载开关
A Dynamic-RON-Reduced Bidirectional GaN Load Switch With Inrush Current Protection and Spike Suppression
Po-Jui Chiu · Xiao-Quan Wu · Chi-Yu Chen · Yu-Ting Huang 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文提出了一种双向氮化镓（GaN）负载开关，在实现双向电流导通的同时有效阻断反向电流。该开关支持最高48V输入电压和25A负载电流，导通电阻仅为11.2mΩ。通过集成驱动电流限制器，有效解决了浪涌电流和电压尖峰问题，提升了功率管理的效率与可靠性。
解读: 该技术主要针对低压（48V）直流侧的功率开关控制，在阳光电源的户用储能系统（如电池包内部BMS电路）或电动汽车充电桩的辅助电源管理中具有应用潜力。GaN器件的高频、低损耗特性有助于提升功率密度，但目前阳光电源的主流储能PCS（如PowerTitan）和光伏逆变器多采用高压功率器件。建议研发团队关注该...