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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

用于抑制桥臂SiC MOSFET串扰效应及降低体二极管损耗的无源谐振电平移位器

Passive Resonant Level Shifter for Suppression of Crosstalk Effect and Reduction of Body Diode Loss of SiC MOSFETs in Bridge Legs

Ho-Tin Tang · Henry Shu-Hung Chung · John Wing-To Fan · Ryan Shun-Cheung Yeung 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月

针对桥臂电路中不可避免的串扰现象,本文提出了一种无源谐振电平移位器。该电路通过提供较低的关断栅源电压,有效抑制了串扰效应,并降低了SiC MOSFET体二极管的正向压降损耗,从而提升了功率变换器的效率与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着公司产品向高功率密度、高开关频率的SiC方案演进,桥臂串扰和体二极管损耗是制约效率提升的关键瓶颈。该无源谐振方案无需复杂有源控制即可优化栅极驱动特性,不仅能降低SiC模块的开关损耗,还能提升系统在...