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双芯片封装碳化硅肖特基势垒二极管的浪涌电流能力
Surge Current Capability of Dual-Chip Packaged SiC Schottky Barrier Diodes
Bin Zhang · Hongliang Zhang · Zi'ang Zhao · Qiang Liu 等11人 · Journal of Electronic Packaging · 2026年2月 · Vol.148
浪涌电流能力是SiC肖特基二极管在功率变换器中应用的关键参数。本文对比单芯片与双芯片封装SiC SBD的非重复浪涌电流能力，发现相同功率下双芯片方案更具优势；并基于电热耦合模型实现高精度预测（误差<2.8%），验证了模型工程适用性。
解读: 该研究直接支撑阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统中SiC功率模块的浪涌鲁棒性设计。双芯片封装结构可提升直流侧防雷/短路工况下的瞬态耐受能力，建议在下一代1500V+高压平台产品中优先导入该封装方案，并结合iSolarCloud平台集成电热模型实现实时寿命评估。...
直流固态功率控制器中SiC MOSFET稳态热阻的在线精确测量
Online Accurate Measurement of Steady-Thermal Resistance of SiC MOSFETs for DC Solid-State Power Controller
Bin Yu · Li Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
稳态热阻（Rth）是SiC MOSFET的关键特性，常作为失效指标。针对直流固态功率控制器（dc-SSPC）的运行模式，本文提出了一种基于导通电阻（Rdson）的结温测量方法，实现了对SiC MOSFET热阻的在线精确测量，为功率器件的健康状态监测提供了技术支撑。
解读: 该技术对阳光电源的功率器件选型与可靠性评估具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中，SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的核心器件。通过在线监测热阻，公司可优化iSolarCloud平台的故障预警算法，实现从“事后维护”向“预测性维护”的跨越。建议在研发阶段引入该在线...