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用于低温等离子体射流的单开关无变压器电源——3.3 kV SiC MOSFET的应用机遇
Single-Switch Transformer-Less Power Supply for Low Temperature Plasma Jet – 3.3 kV SiC MOSFET Opportunities
David Florez · Hubert Piquet · Eric Bru · Rafael Diez · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文提出了一种无需高压变压器的简单功率变换器，用于驱动基于介质阻挡放电的等离子体射流。该变换器采用单开关脉冲电流模式，由低压直流源供电，能够向等离子体负载输出高电流幅值的超短脉冲。研究重点探讨了3.3 kV SiC MOSFET在高压脉冲应用中的性能优势。
解读: 该文献探讨的3.3 kV SiC MOSFET技术在超短脉冲高压应用中的表现，对阳光电源的功率器件选型具有参考价值。虽然等离子体电源非公司核心业务，但该拓扑中对高压SiC器件的驱动与保护策略，可迁移至公司高压组串式逆变器或大型储能系统（如PowerTitan系列）的辅助电源设计中。随着宽禁带半导体电...