找到 3 条结果 · 功率器件技术
超宽/宽禁带器件、封装、控制、电磁干扰及电力电子应用特刊客座社论
Guest Editorial Special Section on Ultrawide/Wide Bandgap Device, Packaging, Control, EMI, and Applications for Power Electronics
Sudip K. Mazumder · John Shen · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
本文为IEEE电力电子汇刊特刊的客座社论，重点探讨了超宽禁带（UWBG）与宽禁带（WBG）半导体器件的最新进展。内容涵盖了从功率器件设计、先进封装技术、高性能控制策略到电磁干扰（EMI）抑制及电力电子系统应用的全方位研究，旨在推动下一代高功率密度、高效率电力电子系统的技术演进。
解读: 该文章聚焦的宽禁带半导体（SiC/GaN）技术是阳光电源提升产品竞争力的核心。在光伏逆变器领域，应用SiC器件可显著提升组串式及集中式逆变器的功率密度与转换效率；在储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中，宽禁带器件有助于减小PCS体积并降低散热成本。此外，文章提及的先进封装与EM...
超宽/宽禁带器件、封装、控制、电磁干扰及电力电子应用特刊客座社论
Guest Editorial Special Section on Ultrawide/Wide Bandgap Device, Packaging, Control, EMI, and Applications for Power Electronics
Sudip K. Mazumder · John Shen · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
本文为IEEE电力电子汇刊特刊的客座社论，重点探讨了超宽禁带（UWBG）与宽禁带（WBG）半导体器件的最新进展。内容涵盖了从功率器件设计、先进封装技术、控制策略优化到电磁干扰（EMI）抑制及电力电子系统应用的全方位技术挑战与解决方案。
解读: 该文章聚焦的宽禁带半导体（SiC/GaN）技术是阳光电源核心产品线的技术基石。对于组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统，引入高性能宽禁带器件能显著提升功率密度并降低损耗。文章中提及的先进封装与EMI抑制技术，对阳光电源优化高频化逆变器设计、提升系统电磁兼容性具有重要指导意...
超宽/宽禁带器件、封装、控制、电磁干扰及电力电子应用特刊客座社论
Guest Editorial Special Section on Ultrawide/Wide Bandgap Device, Packaging, Control, EMI, and Applications for Power Electronics
Sudip K. Mazumder · John Shen · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文为IEEE电力电子汇刊特刊的客座社论，重点探讨了超宽禁带（UWBG）与宽禁带（WBG）半导体器件的最新进展。内容涵盖了先进封装技术、高性能控制策略、电磁干扰（EMI）抑制以及这些技术在电力电子系统中的前沿应用，旨在推动下一代高效功率转换系统的发展。
解读: 该文章聚焦的宽禁带（SiC/GaN）技术是阳光电源提升产品功率密度与转换效率的核心驱动力。对于组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统，应用SiC器件可显著降低开关损耗，减小磁性元件体积，从而实现更轻量化的设计。同时，文章提及的先进封装与EMI抑制技术，对于提升高功率密度PC...